《電子技術(shù)應(yīng)用》
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大聯(lián)大旗下品佳集團(tuán)推出 Local Dimming LED TV 背光驅(qū)動(dòng)整體方案

2011-04-07
作者:大聯(lián)大
關(guān)鍵詞: 液晶電視 MOSFET LED

  目前,液晶電視的使用越來越廣泛,在人們的日常生活中占據(jù)越來越重要的位置,而其消耗的能量也越來越引起人們的關(guān)注。因此,各個(gè)電視、液晶廠商都投入極大的物力、人力、財(cái)力加大研發(fā)力量去降低功耗,從技術(shù)發(fā)展趨勢上來說,如何降低背光的功耗最受到關(guān)注。因?yàn)楸彻庠词亲畲蟮哪芰肯恼撸档土吮彻獾墓模簿痛蟠蠼档土苏麢C(jī)的功耗。這其中的技術(shù)包括改善背光源的驅(qū)動(dòng)電路,改善LED的發(fā)光效率,開發(fā)新的LED種類,目前,Local Dimming是這些技術(shù)中最易于實(shí)現(xiàn),效果最明顯的一項(xiàng)技術(shù)。尤其是直下式LED背光搭配Local Dimming技術(shù),可大幅度降低電量、提高顯示畫面對(duì)比值、灰階數(shù)、及減少殘影等。
 
1.Local Dimming BLU概述
 
  Local Dimming即局部背光調(diào)節(jié)的意思,利用數(shù)百個(gè)LED組成的背光代替CCFL背光燈,背光LED可根據(jù)圖像的明暗進(jìn)行調(diào)節(jié),顯示幕圖像中高亮的部分的亮度可以達(dá)到最大,而同時(shí)黑暗的部分可以降低亮度,甚至關(guān)閉,以達(dá)到最佳的對(duì)比度。這樣,暗區(qū)亮度的降低就降低了背光的功耗。Local Dimming廣義而言,大致可分為三大類,分別為0D、1D、2D dimming,其中,2D dimming能將local dimming的技術(shù)發(fā)揮到最佳效果。從下圖可看出local dimming和非local dimming在能耗上和對(duì)比度上的差別。

2.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
 
  基于MCU的loacl dimming方案由三個(gè)部分組成,分別是FPGA或SOC,MCU和LED Driver IC,SOC采集圖像信號(hào)并通過SPI接口發(fā)送資料給MCU,MCU進(jìn)行資料處理后再通過SPI控制1個(gè)或多個(gè)LED Driver。

3.SAC Demo Board的結(jié)構(gòu)框圖
 
  SAC的方案是將DC-DC部分,MCU和LED Driver置于同一套板上,DC-DC可根據(jù)燈串電壓的不同要求進(jìn)行升壓或降壓,MCU采用Cortex M0 32位高性價(jià)比MCU,LED Driver采用AMS的AS3695C,DC-DC為24升壓到50V,具體要升到多高的電壓根據(jù)所接LED的總電壓,因?yàn)锳S3695C可驅(qū)動(dòng)16路通道,有兩路回饋,因此每8路通道為一個(gè)回饋,需要兩組DC-DC電路。
方案框圖:


方案BOM表(每16通道)


4.各主要元器件特點(diǎn)
  
  AS3695C特點(diǎn):
  ?可驅(qū)動(dòng)16通道的LED
  ?輸出電壓30V,外置MOSFET,驅(qū)動(dòng)電流由MOSFET決定
  ?電流精度高達(dá)+/-0.5%
  ?集成SPI接口
  ?具有開短路、過溫檢測和保護(hù)動(dòng)作
 
  Cortex M0 單片機(jī)特點(diǎn):
  ?Cortex-M0內(nèi)核,高達(dá)50MHz的主頻,高達(dá)40個(gè)I/O口
  ?2-8K SRAM,32K Flash
  ?2 SPI,最高速率可達(dá)25MHz
  ?極低的功耗,更快的處理速度,僅相當(dāng)于8位MCU的價(jià)格
  
  MAP5201
  ?專門為LED TV 背光驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)
  ?寬電壓輸入范圍,最高至36V
  ?支援升壓(Boost)和降壓(Buck)兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
  ?內(nèi)部集成1A MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
  ?開關(guān)頻率可程序設(shè)計(jì),最大500Khz
  ?輸出短路保護(hù)電路
  ?獨(dú)立控制的雙路DC-DC輸出。
  
  MDD1903
  ?N溝道MOSFET
  ?耐壓100V
  ?ID =11A @VGS =10V
  ?RDS(ON) < 120mΩ @VGS = 10V
  < 135mΩ @VGS = 6.0V
 

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