2009年6月8日，波士頓訊（2009年國際微波研討會）－ 隨著基于 LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體）技術的三個高性能 RF 功率晶體管的推出，飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" 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title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體" 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飛思卡爾副總裁兼 RF 部門總經理 Gavin Woods 表示：“隨著行業向第三和第四代無線業務不斷邁進，GSM 無疑是部署最為廣泛的無線技術。飛思卡爾最新的 RF 功率晶體管的設計旨在通過提高基站收發器的效率，幫助全球的 GSM 運營商提高來自每個用戶的平均收入。”?
MRFE6S9046N （920 至 960 MHz）
對于 GSM EDGE 的應用，MRFE6S9046N 的運行頻率為 920 至 960 MHz，提供17.8 W 的平均 RF 功率輸出，19 dB 的增益，效率高達 42.5%，且誤差矢量幅度的均方根（RMS）值不超過2.1%。它內置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中，該封裝是精確機械公差和成本效率的結合。此外，該封裝是表面安裝的，這使它能夠支持自動化的制造流程。而且，增強型的內部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應印刷電路板的變化。內部輸出匹配不僅在基本頻率上實現了用戶友好的終端阻抗，而且還包括賴以實現更高效率的第二和第三個諧波終端，以符合 F 級放大器的理論。?
MRF8S9100H/HS（920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS（1805 至 1880 MHz）
這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統中的 AB 級與 C 級的操作而設計。在 GSM EDGE 業務中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運行時提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值為2.0%的誤差矢量幅度（EVM）。?
在 GSM EDGE 業務中，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運行時提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內置在結實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內部匹配的，以簡化電路設計，符合 RoHS規范，并且還包含內部 ESD 保護電路。?
定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現已成批生產，而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現在也處于樣品性能試驗階段，預計2009年7月全面投入生產。參考測試設備將與預期于2009年7月生產的大型信號模型一起提供。如需樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體本地銷售辦事處或授權經銷商聯系。 ?
請參觀6月7-12日波士頓 IMS MTT-S (www.ims2009.org) 展會中2018號的飛思卡爾展位。如需最新的展示更新信息，請關注 RFLeonard在Twitter 上的微博客 ： www.twitter.com/RFLeonard?
關于飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業、網絡市場設計并制造嵌入式半導體產品。這家私營企業總部位于德州奧斯汀，在全球擁有設計、研發、制造和銷售機構。如需了解其它信息，請訪問www.freescale.com.?