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華潤上華超高壓700V BCD系列工藝成功實現(xiàn)量產(chǎn)

2011-12-27
作者:華潤上華
關鍵詞: 工藝技術 BCD CDMOS AC-DC

  華潤微電子旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)近日宣布其超高壓700V BCD系列工藝成功實現(xiàn)量產(chǎn)。自2010年華潤上華在國內(nèi)首家推出第二代硅基700V BCD工藝后,通過與客戶的密切合作,700V BCD系列工藝在2011年底成功實現(xiàn)量產(chǎn)。這是華潤上華在超高壓工藝領域卓越研發(fā)能力和量產(chǎn)能力的體現(xiàn),增強了華潤上華在BCD工藝平臺的核心競爭力。
 
  第二代硅基700V BCD工藝系自華潤上華第一代硅基700V CDMOS工藝基礎上自主開發(fā)而來。第一代硅基700V CDMOS工藝,是華潤上華于2007年在國內(nèi)獨家推出的集成低壓CMOS控制電路,實現(xiàn)了單芯片集成AC-DC轉換芯片的技術,處于國際先進水平。在國內(nèi)小家電市場中,華潤上華利用此技術與客戶合作開發(fā)的電源轉換芯片擁有最高市場占有率,該產(chǎn)品還獲得江蘇省科技進步一等獎和國家技術發(fā)明二等獎。
 
  基于以上工藝的華潤上華第二代硅基700V BCD工藝,同樣具有自主知識產(chǎn)權。目前在LED 照明驅動、AC-DC 等應用方面已與多家客戶開展合作,并實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
 
  華潤上華的BCD工藝平臺電壓涵蓋1.8V到700V,線寬從1µm延伸至0.18µm,可滿足高電壓、高精度、高密度不同應用的全方位需求。未來,華潤上華將持續(xù)加大在超高壓BCD工藝方面的投入,正在開發(fā)中的下一代工藝將采用SOI基,引入Trench及埋氧層隔離技術,可進一步滿足橋式驅動電路以及單片式集成小功率IPM模塊等綠色電源IC方面的需求。

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