據可靠的消息人士透露，高通(Qualcomm)采用10nmFinFET制程生產的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(2016年內)發(fā)表，且搭載該款處理器的智能手機產品(首發(fā)機)將在明年(2017年)Q1現身。

　　據報導，除驍龍830之外，目前也已知有比現行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在，而該款驍龍823產品似乎將持續(xù)采用14nmFinFET制程。

　　報導指出，從搭載驍龍830的智能手機可能會在明年Q1現身這點來看，驍龍830可能將撘載在叁星GalaxyS7、LGG5、小米Mi5或宏達電HTC10等旗艦機種的后繼機種上。

　　微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料稱，高通驍龍830(代號為“MSM8998”)將采用叁星10nm制程、撘載改良版“Kryo”架構、且將支援8GBRAM，預計將在2017年初發(fā)布。

　　為了對抗高通驍龍820，聯(lián)發(fā)科3月16日在深圳宣布自家十核心芯片HelioX20即將上市，且更在會場上發(fā)布更高階的HelioX25(用來對抗驍龍823?);而聯(lián)發(fā)科用來對抗驍龍830的產品，應該就是傳聞將采用臺積電10nm制程的HelioX30。

　　Arena、GSMArena3月30日引述中國MTK手機網報導，知情人士透露，聯(lián)發(fā)科X30將進一步深挖叁叢十核的潛力，不僅確認會應用 10納米制程，且是采用臺積電10nmFinFET工藝，預估最快6月就能成功“設計定案”(tape-out)，有望年底實現量產。

　　韓國時報報導，BernsteinResearch分析師Mark.C.Newman3月10日發(fā)表研究報告指出，叁星的進度雖然有些拖延，但 仍可搶下“業(yè)界第一個10納米晶圓代工廠”的頭銜，臺積電、英特爾將會緊跟在后，至于格羅方德(GlobalFoundries)則幾乎趕不上。

　　Bernstein預估，叁星的10納米制程技術會在今年稍晚小幅投產，主要代工自家的處理器以及高通次代行動芯片組“Snapdragon830”。不過，臺積電仍不容小覷，拜產能龐大之賜，臺積電也許將后來居上、產量會更多。