Q3是一個PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開關(guān)，與本文無關(guān)。
實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時，Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時，往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實不用完全關(guān)斷Q4就導通了，而且R29的電流不會降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導通，此時Q3對R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓。這個電路的問題在于Q3對Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒有問題，否則會導致之前所擔憂的情況。
嘗試在Q3與Q4之間增加一個二極管，以增加Q4導通的門檻。結(jié)果發(fā)現(xiàn)有一點點用，但是這個二極管的壓降還很小，對開關(guān)性能的改善不大。無論把這個二極管換成數(shù)個二極管的串聯(lián)，還是換成穩(wěn)壓管，漏電流都是個問題，足以造成Q4的弱導通，這里就不上圖了。下一步考慮MOS管。
圖1
圖2
圖3
圖4
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