微觸發(fā)單向可控硅TSE2P4M和TSE0405采用全新的設計方法和工藝技術(shù)，大大改善了其開關(guān)性能和溫度特性。經(jīng)國內(nèi)主要摩托車電器裝備廠家使用實踐證明，該產(chǎn)品能夠克服上一代產(chǎn)品中存在的觸發(fā)電流不易控制、溫度特性差和開關(guān)速度低等弱點，有效提高點火器的點火能量及可靠性，其電性能已經(jīng)達到了國外同類產(chǎn)品的水平。該產(chǎn)品將在2008年8月22日在重慶舉辦的“2008摩托車電子應用技術(shù)創(chuàng)新研討會”會上發(fā)布及展示。

TSE2P4M和TSE0405是利用短基區(qū)擴散層的次表面層形成G-K間較大的橫向擴散電阻RGK，當可控硅的門極和陰極間加電流IG時，在RGK上產(chǎn)生一個電壓降VR，只有當VR≥P-N結(jié)的門坎電壓VR時，可控硅才會觸發(fā)。這項新技術(shù)的實現(xiàn)，克服了目前市場上的微觸發(fā)單向可控硅溫度特性差、IGT離散性大、開關(guān)速度低、VTM大的弱點，有效提升性能，滿足了客戶的需求。