少量的氟將白色石墨烯由絕緣體轉變成具有磁性的寬帶隙半導體。萊斯大學的科學家表示，這樣可以使獨特的材料適用于極端環境中的電子設備。

萊斯大學研究人員的一篇概念證明論文證實了將二維六方氮化硼（h-BN）（即白色石墨烯）從絕緣體轉變為半導體的方法。他們說，磁性是一個意想不到的額外收獲。

由于原子薄的材料是一種特殊的熱導體，研究人員認為它可能對高溫應用中的電子產品有用，甚至可能是磁存儲器件。

萊斯大學的科學家Pulickel Ajayan表示：“h-BN是一種穩定的絕緣體，在商業上非常有用，可用于保護涂層甚至在化妝品中，因為它吸收了紫外線。研究人員嘗試修改其電子結構已經付出了很多努力，但是我們認為它不會成為半導體和磁性材料。所以這項研究是非常不同的，沒有人在h-BN中看到這種行為?！?/p>

研究人員發現，向h-BN添加氟，并引入到原子矩陣中的缺陷，從而減小了帶隙，使其成為半導體。帶隙決定材料的導電性。

萊斯大學博士后研究員兼合著者Chandra Sekhar Tiwary說：“我們看到加入約5％的氟時，帶隙縮小了。隨著繼續增加氟，帶隙變小，但只是到了某一點。精確的控制氟是我們需要處理的。我們可以得到一個范圍，但還沒有實現精確的控制。由于材料原子薄，一個原子減少或增多都會帶來相當多的變化。在接下來的一組實驗中，我們想要學會精確地調整原子?！?/p>

他們確認，添加氟原子施加的張力改變了氮原子中電子的“自旋”，并影響了它們的磁矩，這些決定了原子如何像無形納米尺度羅盤那樣對磁場發生響應。

賴斯大學的研究生兼主要作者Sruthi Radhakrishnan說：“我們看到角度定向旋轉，這對于二維材料來說非常不尋常。與對準以形成鐵磁體或彼此抵消不同，自旋隨機傾斜，使平面材料隨機存儲凈磁性。這些鐵磁體或反鐵磁性存儲可以存在于相同的h-BN樣品中，這使得它們與競爭的領域成為“沮喪的磁體”。

研究人員說，他們這種簡單、可擴展的方法在其他2-D材料中具有潛在應用價值。“通過納米工程制造新材料正是我們研究組所關注的。”Ajayan說。