一種高線性調(diào)整率無電容型LDO的設(shè)計(jì)
所屬分類:技術(shù)論文
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文檔介紹:提出了一種1.8 V、70 mA片上集成的低功耗無電容型LDO(Low Dropout)電路。電路中采用了一級增益自舉運(yùn)放作為誤差放大器,通過消除零點(diǎn)的密勒補(bǔ)償技術(shù)提高了環(huán)路穩(wěn)定性;帶隙基準(zhǔn)源(BGR)采用了線性化VBE技術(shù)進(jìn)行高階補(bǔ)償,可以獲得溫度穩(wěn)定性更好的BGR,降低了BGR對線性調(diào)整率的影響。該設(shè)計(jì)采用HHNEC 0.13μm CMOS工藝(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整個(gè)芯片面積為0.33 mm×0.34 mm。測試結(jié)果顯示:在2.5 V~5.5 V電源供電下,LDO輸出的線性調(diào)整率小于2.14 mV/V,負(fù)載調(diào)整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整個(gè)LDO消耗56μA靜態(tài)電流(其中測試用的放大器消耗電流約18 μA)。
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