6月12日，日經(jīng)新聞引述δ具名消息人士報(bào)導(dǎo)，合肥長鑫已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。

　　據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)，該消息人士表示，長鑫還無法完全消除威脅，其生產(chǎn)中依然會(huì)使用到美國的半導(dǎo)體設(shè)備(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新設(shè)計(jì)能夠降低威脅，避免觸及美國的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

　　長鑫存儲(chǔ)董事長兼CEO朱一明去年10月還曾前往歐洲，與歐洲最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商ASML商談合作，并訪問了比利時(shí)的IMEC，這是一家專注于納米電子和數(shù)字技術(shù)的開創(chuàng)性研究機(jī)構(gòu)。由此可見，長鑫正在尋求美國以外的供應(yīng)商的支持。

　　據(jù)了解，長鑫在合肥投資80億美元建造了一家晶圓廠，預(yù)計(jì)將于今年年底前投產(chǎn)。其中一λ消息人士指出，長鑫最初?月將生產(chǎn)約10,000片晶圓，雖然需要經(jīng)歷某種學(xué)習(xí)曲線，但長鑫計(jì)劃在今年年底之前獲得一些產(chǎn)出。

　　不過，根據(jù)長鑫去年透?DRAM項(xiàng)目5年規(guī)劃，該公司計(jì)劃在2018年底量產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品;2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4;2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能2萬片/月;2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)CINNO分析師Sean Yang指出，跟全球130萬片DRAM 硅晶圓的月產(chǎn)量相比，長鑫的產(chǎn)能仍然較小，但對(duì)于目前完全無法自制DRAM的中國大?來說，卻是一大突破。

　　根據(jù)此前的報(bào)道，朱一明在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會(huì)發(fā)表演講時(shí)指出，長鑫的技術(shù)源自奇夢達(dá)，并結(jié)合了長鑫自己的技術(shù)。通過與奇夢達(dá)合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件(約2.8TB數(shù)據(jù))收歸囊中，目前共有1萬6千個(gè)專利申請。

　　奇夢達(dá)是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢達(dá)向法院申請破產(chǎn)保護(hù)。奇夢達(dá)慕尼黑研發(fā)中心和中國研發(fā)中心(λ于西安高新區(qū))是較大的兩大研發(fā)中心。