CES，拉斯維加斯，2020 年 1 月 9 日 — Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克: MU) 今日宣布采用行業(yè)領(lǐng)先的 1z 納米制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術(shù)上最為先進(jìn)的 DRAM，其內(nèi)存性能提升至少 85%，從而應(yīng)對下一代服務(wù)器負(fù)載。如今數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構(gòu)正在提供日益增多的處理器核心數(shù)、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量，而 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍，并同時提升可靠性。

　　“幾乎所有應(yīng)用環(huán)境的數(shù)據(jù)都在激增，數(shù)據(jù)中心從負(fù)載的工作中挖掘價值的挑戰(zhàn)越來越大，” 美光科技計算和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Tom Eby 表示，“更高性能、更高密度和更優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存是應(yīng)對這些負(fù)載的關(guān)鍵所在。美光出樣 DDR5 RDIMM 是一項重大進(jìn)展，幫助業(yè)界進(jìn)一步提升了下一代以數(shù)據(jù)為核心的應(yīng)用價值。”

　　快速增多的數(shù)據(jù)集和計算密集型應(yīng)用環(huán)境產(chǎn)生了更高要求的工作負(fù)載，進(jìn)而帶來處理器核心數(shù)的增長，但目前的 DRAM 技術(shù)無法滿足帶寬需求。相較于 DDR4，DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 還實現(xiàn)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心所需要的可靠性、可用性和可服務(wù)性 (RAS)。

　　作為內(nèi)存技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌，美光在設(shè)計、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有40多年的專業(yè)積淀。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更高的標(biāo)準(zhǔn)。