3 月 10 日訊，據(jù)悉，韓國科學技術研究院一個團隊已經成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代 GaN 來生產藍光 LED，該研究成果的意義在于，通過在硅襯底上生長高質量的銅鹵素單晶碘化銅，實現(xiàn)高效的藍光發(fā)射，在世界范圍內首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術。
該團隊使用碘化銅（CuI）化合物發(fā)出藍光，該化合物是通過合成銅和碘制成的。研究小組說：“我們發(fā)現(xiàn)碘化銅半導體可以發(fā)出比 GaN 基器件高 10 倍的藍光。它們還具有出色的光電效率和長期的器件穩(wěn)定性。”
研究人員研發(fā)的碘化銅半導體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300 毫米)的優(yōu)勢。此外，碘化銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于 300 攝氏度）相似，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，它可以應用于低成本、簡單的硅半導體工藝。
LED 需要紅，綠和藍三色搭配才能產生白光。此前，日本已經開發(fā)出一種制造高質量 GaN 的方法來生產藍光 LED，該 LED 被用作智能手機，顯示器，電子產品和高頻設備的核心設備。
GaN 是第三代半導體材料的代表之一，具備易散熱，體積小，損耗小，功率大等諸多優(yōu)點，被業(yè)內寄予厚望。可被應用于光電、功率和射頻等多個領域，同時能滿足高功率密度、低能耗、高頻率等要求。
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