在長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷突破3D閃存的同時(shí)，國(guó)內(nèi)另一家存儲(chǔ)企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫也攻關(guān)DDR內(nèi)存，去年9月份正式量產(chǎn)10nm內(nèi)存。日前長(zhǎng)鑫又宣布與美國(guó)Rambus（中文名藍(lán)鉑世）達(dá)成協(xié)議，獲得了后者的DRAM技術(shù)授權(quán)。

    與長(zhǎng)鑫合作的美國(guó)Rambus公司雖然也是NPE（Non－Practicing Entity，非專利執(zhí)行實(shí)體）公司，但在內(nèi)存技術(shù)上還是很有實(shí)力的，過(guò)去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

    長(zhǎng)鑫與Rambus簽署的合作協(xié)議也涉及DRAM技術(shù)授權(quán)，不過(guò)具體的合作內(nèi)容及授權(quán)費(fèi)用沒(méi)有公布，兩邊對(duì)此合作倒是都很滿意。

    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明表示：“與藍(lán)鉑世達(dá)成的協(xié)議再次表明，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國(guó)際規(guī)則，持續(xù)強(qiáng)化知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。公司致力于通過(guò)自主研發(fā)與國(guó)際合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積累，并以此為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，穩(wěn)步提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。”

    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。

    2019年9月份，合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存。

    在內(nèi)存技術(shù)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明去年披露，他們從已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，獲得了一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2．8TB數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過(guò)25億美元。

    在自研技術(shù)之外，長(zhǎng)鑫也免不了要跟其他公司合作授權(quán)，就在去年底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可，而這些專利來(lái)自Polaris 2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專利組合。