在先進半導(dǎo)體工藝上，臺積電目前是無可爭議的老大，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二，但份額只有臺積電的1/3，所以三星押注了下一代工藝，包括3nm及未來的2nm工藝。
根據(jù)三星的計劃，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn)，3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產(chǎn)。
對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。
再往后就是2nm工藝，三星高管日前再次表態(tài)2nm工藝會在2025年量產(chǎn)。
不過具體的工藝指標還沒公布，只知道還是GAA晶體管，跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術(shù)，這是一種納米片晶體管，可以垂直堆疊，而且兼容現(xiàn)在的CMOS工藝，共享設(shè)備與制造方法，降低了新技術(shù)的升級成本。
三星的2nm工藝是一大進步，創(chuàng)新亮點不少，而且跟現(xiàn)在已有的2nm技術(shù)不同——此前IBM全球首發(fā)了2nm芯片，指甲蓋大小的面積就可以集成500億晶體管，相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗，預(yù)計2024年量產(chǎn)。
三星也參與了IBM的2nm技術(shù)，然而自己量產(chǎn)的2nm技術(shù)跟IBM的2nm并不一樣，后者需要新的生產(chǎn)方法，三星還會依賴自家研發(fā)的2nm技術(shù)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。