據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布，將在未來3年內(nèi)，投資360億日元（約合人民幣16.75億元），研發(fā)面向AI的下一代更省電的內(nèi)存，目標在2030年代前半段實現(xiàn)商業(yè)化。而日本政府最高將提供50%的補貼。
鎧俠指出，將研發(fā)基于CXL（Compute Express Link）的內(nèi)存，和目前的DRAM相比，更省電；和現(xiàn)有的NAND Flash相比，讀取速度更快。相較于DRAM在電力中斷時、數(shù)據(jù)就會消失，CXL內(nèi)存即便在斷電時、也能保留大量數(shù)據(jù)，能降低AI驅(qū)動時的耗電量。
雖然目前鎧俠是全球第三大NAND Flash芯片廠商，但是其并沒有像三星、SK海力士、美光等競爭對手那樣擁有豐富的面向AI的各類DRAM產(chǎn)品，因此鎧俠希望通過研發(fā)下一代內(nèi)存來改變目前僅有NAND Flash產(chǎn)品的尷尬局面。
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