場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流。
場效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級或輸出級。
按半導(dǎo)體材料分類：
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。