12 月 26 日消息，美國(guó)商務(wù)部此前于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 12 月 20 日正式宣布，將根據(jù)《CHIPS》法案激勵(lì)計(jì)劃提供高達(dá) 47.45 億美元（注：當(dāng)前約 346.37 億元人民幣）的直接資金，補(bǔ)貼規(guī)模較今年 4 月初步條款備忘錄中的 64 億美元減少超 1/4。

對(duì)比兩份文件，發(fā)現(xiàn)三星電子承諾的在美半導(dǎo)體領(lǐng)域投資規(guī)模從 4 月的“超過(guò) 400 億美元”降至 12 月的“超過(guò) 370 億美元”，同時(shí)項(xiàng)目細(xì)節(jié)也相應(yīng)有所調(diào)整：

三星原計(jì)劃在得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座生產(chǎn) 3D HBM 和 2.5D 封裝的先進(jìn)封裝設(shè)施，但在最終協(xié)議中刪去了有關(guān)內(nèi)容；此外三星位于泰勒市的兩座先進(jìn)制程工廠原本計(jì)劃專注量產(chǎn) 4nm、2nm 制程技術(shù)，但最終協(xié)議僅提及了 2nm。

這也帶動(dòng)相關(guān)項(xiàng)目可提供的高薪制造業(yè)工作崗位和建筑工作機(jī)會(huì)從 4500 多個(gè)和超 17000 個(gè)降低到了 3500 多個(gè)和約 12000 個(gè)。

▲ 三星在美半導(dǎo)體設(shè)施工地

如此看來(lái)三星在美先進(jìn)制程產(chǎn)能將重點(diǎn)關(guān)注下代尖端節(jié)點(diǎn)，而非目前已趨近成熟穩(wěn)定的 4nm；同時(shí)三星也暫時(shí)擱置了在美提供先進(jìn)制程 + 先進(jìn)封裝“一站式”服務(wù)的計(jì)劃。

三星新任 foundry 負(fù)責(zé)人韓真晚曾表示該部門(mén)目前最關(guān)鍵的任務(wù)是實(shí)現(xiàn) 2nm 產(chǎn)能的快速（良率）爬坡。更優(yōu)秀的工藝質(zhì)量也有助于三星泰勒廠 2nm 贏得美國(guó)本土 Fabless 設(shè)計(jì)企業(yè)的青睞。