2 月 24 日消息，隨著存儲行業的激烈競爭，推動 NAND 技術不斷進步，一個令人驚訝的消息出現了：
據韓媒 ZDNet 今日報道，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。
報道稱，三星計劃于 2025 年下半年開始大規模生產其 V10 NAND，該產品預計將具有約 420 至 430 層。
報道還提到，三星和 SK 海力士據說正在與長江存儲協商一項專利協議。
注：長江存儲已率先在閃存中使用了晶棧 Xtacking 技術，該技術可在一片晶圓上獨立加工負責數據 I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。
報道稱，大約四年前，長江存儲在該領域建立了強大的專利組合。而三星之前在 NAND 生產中使用了 COP（Cell on Peripheral）技術，其中外圍電路放置在一個晶圓上，而單元堆疊在其上方。然而，隨著層數超過 400 層，對下層外圍的壓力增大會影響可靠性，因此需要采取替代方案。
知情人士表示，美國 Xperi、長江存儲和臺積電擁有大多數混合鍵合專利。三星認為在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中很難繞過現有專利，因此選擇與長江存儲合作。
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