2011年1月11日消息，光通信技術用于處理器芯片間及處理器內核間數據傳輸的可能性大為提高。這是因為美國IBM開發出了以CMOS技術將光收發回路和電路集成于1枚芯片的技術“CMOS Integrated Silicon Nanophotonics”。IBM此次還公布了該技術投入使用的目標時間。該公司稱,將把該技術應用在定于2017～2018年開發的浮動小數點運算性能達1018FLOPS（Exa FLOPS）超級計算機（Exa機）處理器。

　　如果得以實現，則除處理器內核內部之外的數據傳輸用布線便可以用光通信技術封裝。這不僅對超級計算機，而且對多種電子設備的意義都很重大。

以WDM技術大幅削減布線數量

　　IBM認為，要實現運算性能為目前最快的超級計算機約1000倍的Exa機，處理器芯片間及處理器內核間的數據通信實現光化是不可避免的。“人類的大腦也因相當于處理器的灰白質和相當于通信網絡的白質兩者兼備才得以有效工作的。如果白質的數據傳輸速度低，那么好不容易得到的灰白質就不能發揮作用” （IBM硅整合納米光子項目主管Yurii A. Vlasov）。IBM指出，不用電而使用光的最大原因在于：通過應用光通信領域的WDM（波分復用）技術能夠大幅減少物理布線數量。

　　IBM設想的Exa機的處理器是將集成于硅芯片上的處理器內核、存儲器和光通信網絡三維層疊,并用TSV（硅貫通電極）連接起來的。構成數據傳輸路徑的基本要素技術，與現在數據中心等使用的單位通道10Gbit/秒的光通信網絡沒有太大差別。

　　然而，巨大的差異在于集成度要高出幾個數量級。要將原來以100m為單位的光通信網絡縮小到1mm左右，即原來的10萬分之一左右的尺寸，并與驅動電路等所需電路一起集成于Si芯片上。

突破混載的最大難關

　　IBM從2006年前后就已開始利用CMOS工藝開發要素技術。比如：光的延遲回路、調制器、開關及以高感度高速工作的受光器等。此次的目標是用CMOS工藝將這些要素技術與電路混載。

　　最重要的一點是使受光器的形成在CMOS晶體管的源極/漏極激活，即燒結處理前完成。受光器是采用鍺（Ge）的APD（avalanche photodetector）。原來由于Ge的融點比較低，僅為約937℃，只能在CMOS晶體管的源極/漏極激活后形成受光器。IBM通過改變Ge APD的制造方法等，使在源極/漏極激活前就能夠形成Ge APD。

　　由此，“使用的掩模在光路和電路上幾乎可通用，制造工藝本身得到了大幅簡化”（IBM的Vlasov）。

課題是向量產技術的過渡

　　IBM采用此次的CMOS工藝，試制了發送端的驅動電路、調制器和WDM，以及接收端的WDM、受光器和增幅電路等各種集成于硅芯片上的元器件。電路的集成采用了130nm工藝技術，光路的集成部分采用了65nm工藝技術。

　　單位通道的傳輸速度為20Gbit/秒，單位通道的占用面積僅占整個光收發器的約0.5mm2。IBM稱“占用面積為競爭對手的1/10以下”。IBM表示，現在的目標是進一步提高集成度，以實際4mm2左右的芯片面積實現相當于數據傳輸容量1Tbit/秒的光收發器。

　　剩下的課題是將開發的技術應用于量產工藝。IBM自信地表示：“在今后幾年內實現當然并不容易，但迄今我們已解決了多種課題”（Vl asov ）。

　　（編輯 Valiant）