景翔推薦的TM2009是一款前端多芯片集成電路，芯片使用先進的砷化鎵(GaAs)技術。 前端MCM集成電路包括功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)和二個RF單刀雙擲(SPDT)開關。 這個設備最適合IEEE 802.11.b/g、Bluetooth、2.4Ghz影音應用、無線數據終端，和可攜式的設備。 PA提供了+23dBm (最大值)輸出的功率輸出，效率(PAE) 41%。 LNA噪聲指數NF在1.8dB之下。 RF SPDT開關在2.4GHz對2.5GHz范圍，有非常低插入損失0.4dB。 本IC在封裝QFN 4mm-20L封裝內。
Applications:
Bluetooth PA(Class 1)
Wireless Data Terminal
Wireless Audio
portable Battery Powered Equipment
Features
High Efficient Power Amplifier:41%at Pout=23dBm
P1dB:+21dBm Typical@+3.3v
Low-Noise Amplifier(NF typical 1.8dB)
Low Insertion loss:0.4dB@2.4Ghz
llp3:55dBm@Input Power up to 20dBm
QFN 4*4 mm 20L with thermal ground ultra small plastic package
Green,MSL 1
