《電子技術(shù)應用》
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IR 推出優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組, 適合高功率密度和高效率 DC-DC 應用

2011-05-03
作者:IR

    全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET®2 功率MOSFET芯片組,適合內(nèi)燃機混合動力電動車中的DC-DC應用。

    新型40V 邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含AUIRL7732S2 MOSFET 和AUIRL7736M2 MOSFET,有助于最大限度減少DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)和傳導損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應用,如泵和風扇的變頻驅(qū)動器,以及替代接線盒應用中的繼電器。

    IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于D2Pak 10 倍的寄生電感,從而保證優(yōu)良的高頻開關(guān)性能,減少波形振鈴,而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外,新型車用DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導通電阻的特點,為DC-DC 轉(zhuǎn)換提供了理想的解決方案。”

    AUIRL7732S2 邏輯電平MOSFET 具備低柵極電荷(Qg)的特點,PCB 占用空間比采用SO-8 封裝小38%,使其非常適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開關(guān)位置,具有低導通電阻,PCB大小與5x6 PQFN 或SO-8 封裝一致。AUIRL7732S2 和AUIRL7736M2的低電感可以在更高頻率條件下實現(xiàn)比傳統(tǒng)MOSFET 更好的開關(guān)性能。

    車用DirectFET2 產(chǎn)品線基于多年的研究與開發(fā),旨在開發(fā)出一個專為汽車應用,且立足于高度可靠、成熟的消費級DirectFET 產(chǎn)品的產(chǎn)品平臺。

    新器件符合AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 。

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