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前十占九！“中國機構正在主導全球芯片研究”

美國不斷加強對華芯片出口限制，試圖遏制中國獲取先進半導體。但美國最新研究顯示，中國研究人員已加緊努力，進行大量的基礎研究，目前在芯片設計和制造研究領域處于世界領先地位。

發(fā)表于：4/22/2025

印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機構印度科學研究所（IISc）的30名科學家團隊聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠小于目前生產的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣南京廠大賺800億臺幣

4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達1650億美元，計劃建設六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進工藝，而因為種種原因，在內地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺積電美國工廠因為一直處于前期投資建設階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴大，2021年、2022年、2023年分別達48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計虧損幾乎達到400億元新臺幣。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅動系統(tǒng)設計與實現(xiàn)

光纖激光器波長和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅動電流波動的影響，為應對該問題，設計了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅動系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負反饋原理，通過金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實現(xiàn)了對半導體激光器（LD）驅動電流的精準控制；限流保護電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準探測到功率輸出。實驗結果表明，該電路可實現(xiàn)驅動電流在0~1.2 A連續(xù)可調，電流短期（120 min）和長期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長波動不超過±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設計

傳統(tǒng)的功分器結構由于高頻串擾明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結構的Ka波段功分器。從電路拓撲出發(fā)，對該器件進行了電路設計、建模仿真與實驗驗證。測試結果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側具有傳輸零點的濾波響應，實現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設計。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對器件抗靜電能力的影響并進行相關機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級帶電器件模型靜電放電測試標準分析及應用

針對器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電國內外主要測試標準進行了整理、分析與解讀。梳理了各標準之間的差異性和關聯(lián)性，明確了各標準的應用范圍與技術要點。深入研究了影響器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電測試結果的因素與控制方法，提出了在標準應用過程中保障結果一致性和準確性的相關技術技巧，為器件級帶電器件模型（CDM）測試標準的選擇、測試和工程應用提供了指導。

發(fā)表于：4/21/2025

Arm已將Artan基礎IP業(yè)務出售給了Cadence

近日，EDA及半導體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎IP業(yè)務。該業(yè)務涵蓋標準單元庫、內存編譯器以及針對領先代工廠先進工藝節(jié)點優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強Cadence不斷擴展的設計IP產品線，其核心產品包括領先的協(xié)議和接口IP、內存接口IP、適用于最先進節(jié)點的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全IP。

發(fā)表于：4/21/2025

Intel 18A更多細節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關于其最新的 Intel 18A制程的細節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術，可實現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達 4%，并且與正面功率設計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術設計功能和增強的設計易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標準 Arm 內核子塊上設法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設計的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025

長電科技2024年營收創(chuàng)新高穩(wěn)居全球委外封測第三

4月20日傍晚，國產半導體封測大廠長電科技發(fā)布了2024年度業(yè)績報告，其營收再創(chuàng)歷史新高，繼續(xù)穩(wěn)居全球球委外封測（OSAT）市場第三，凈利潤也保持了穩(wěn)步的增長。 2024年營收達359.62億元，創(chuàng)歷史新高根據(jù)報告顯示，長電科技2024年營業(yè)收入約359.62億元，同比增長21.24%，創(chuàng)下了歷史新高；歸屬于上市公司股東的凈利潤約16.1億元，同比增長9.44%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤人民幣15.5 億元，同比增長17.02%。基本每股收益0.9元，同比增長9.76%。

發(fā)表于：4/21/2025

中微董事長尹志堯放棄美籍，恢復中國籍！

4月17日晚間，中微公司發(fā)布了2024年度財報，顯示公司創(chuàng)始人、董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯已放棄美籍，恢復了中國籍。

發(fā)表于：4/21/2025

天工機器人成為首個人形機器人半馬冠軍

4月19日消息，今天上午，全球首個人形機器人半程馬拉松在北京亦莊開跑，21支機器人隊伍與12000名人類選手同場競技，共同挑戰(zhàn)21.0975公里的賽道。據(jù)央視新聞官微介紹，目前天工機器人以2小時40分率先沖線完賽，奪得冠軍。

發(fā)表于：4/21/2025

先進技術毫無保留供給臺積電美國工廠虧損持續(xù)擴大

4月21日消息，臺積電在美國的工廠1年虧損超過了32億元，但依然不改他們努力在這里建廠的目標。臺積電公布最新2024年報，盡管亞利桑那州第一座晶圓廠已開始量產，不過，因量產到出貨認列營收有時間落差，子公司TSMC Arizona Corporation 去年虧損擴大，從2023 年的109.25 億元新臺幣，擴大至2024 年的142.98億元新臺幣（約合32億元+）。

發(fā)表于：4/21/2025

全光驅動計算機大突破：可編程芯片首次用光訓練神經(jīng)網(wǎng)絡

4月21日消息，據(jù)《自然·光子學》雜志報道，美國賓夕法尼亞大學的研究團隊成功開發(fā)出了首款極具創(chuàng)新性的可編程芯片，這款芯片能夠巧妙地利用光來實現(xiàn)非線性神經(jīng)網(wǎng)絡的訓練。

發(fā)表于：4/21/2025

自主可控！全國產化沙克網(wǎng)絡研制成功

4月20日消息，據(jù)報道，山西中北測控科技有限公司在工業(yè)測控網(wǎng)絡領域取得重大突破，其自主研發(fā)的SharkNet工業(yè)測控網(wǎng)絡（簡稱沙克網(wǎng)絡）成功實現(xiàn)國產化。這一創(chuàng)新成果不僅填補了我國在高端工業(yè)總線技術領域的空白，更為航空航天、智能制造等關鍵領域的測控網(wǎng)絡升級提供了全新解決方案。沙克網(wǎng)絡作為一種新型高動態(tài)智能重構工業(yè)測控網(wǎng)絡，其技術應用覆蓋儀器儀表、運載裝備、工業(yè)生產三大領域。

發(fā)表于：4/21/2025