工業(yè)自動化最新文章 SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產(chǎn)品客戶驗證 4 月 23 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功完成 CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于 CXL 2.0 標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 解決方案產(chǎn)品。 發(fā)表于：4/23/2025 意法半導(dǎo)體監(jiān)事會發(fā)表聲明對近期報道作出三點評論 4 月 15日，中國 —— 意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點評論： 發(fā)表于：4/23/2025 復(fù)旦閃存新成果登Nature 突破閃存速度理論極限 史上最快的閃存器件，復(fù)旦團隊造！ 其研發(fā)的皮秒閃存器件“破曉（PoX）”登上了Nature，擦寫速度達到了亞納秒級，比現(xiàn)有速度快1萬倍。 并且數(shù)據(jù)不易丟失，按照實驗外推結(jié)果，保存年限可達十年以上。 發(fā)表于：4/23/2025 基于高云Arora-V 60K FPGA實現(xiàn)的MIPI CPHY轉(zhuǎn)MIPI DPHY透傳模塊 近期，高云代理商聯(lián)詮國際聯(lián)合合作伙伴DepEye（深目微）共同推出 MIPI CPHY轉(zhuǎn)DPHY (C2D)透傳模塊：DEGC2DV60，功能基于高云GW5AT-LV60 FPGA實現(xiàn)，該產(chǎn)品適用于需要從 MIPI CPHY RX 橋接到 MIPI DPHY TX 的應(yīng)用場景。 發(fā)表于：4/22/2025 傳臺積電2nm已獲英特爾下單 4月22日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日本》報道，繼AMD之后，晶圓代工大廠臺積電最新的2nm制程已經(jīng)獲得了英特爾的下單。 發(fā)表于：4/22/2025 TrendForce：預(yù)計中國市場2025年人形機器人本體產(chǎn)值將超45億 4 月 21 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)文，中國市場已有 11 家主流人形機器人本體廠商在 2024 年開啟量產(chǎn)計劃，其中有 6 家如宇樹科技、優(yōu)必選、智元機器人、銀河通用、眾擎機器人、樂聚機器人等廠商對 2025 年量產(chǎn)規(guī)劃超過千臺。 發(fā)表于：4/22/2025 消息稱三星電子正推動DRAM制程升級 4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。 具體來看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。 發(fā)表于：4/22/2025 臺積電：無法保證半導(dǎo)體芯片不會被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè) 4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報道，針對此前臺積電因在不知情的情況下為被美國列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺積電在其最新的年度報告中承認，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確保客戶不會將芯片轉(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺積電不能保證類似的事件不會重演。 發(fā)表于：4/22/2025 世強硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展 世強硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展 以創(chuàng)新技術(shù)賦能全球電子產(chǎn)業(yè)鏈升級 發(fā)表于：4/22/2025 前十占九！“中國機構(gòu)正在主導(dǎo)全球芯片研究” 美國不斷加強對華芯片出口限制，試圖遏制中國獲取先進半導(dǎo)體。但美國最新研究顯示，中國研究人員已加緊努力，進行大量的基礎(chǔ)研究，目前在芯片設(shè)計和制造研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位。 發(fā)表于：4/22/2025 印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰(zhàn) 4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團隊聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠小于目前生產(chǎn)的最小芯片。 發(fā)表于：4/22/2025 臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣 南京廠大賺800億臺幣 4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達1650億美元，計劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進工藝，而因為種種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。 根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。 在此前三年，臺積電美國工廠因為一直處于前期投資建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴大，2021年、2022年、2023年分別達48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計虧損幾乎達到400億元新臺幣。 發(fā)表于：4/22/2025 高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn) 光纖激光器波長和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動電流波動的影響，為應(yīng)對該問題，設(shè)計了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負反饋原理，通過金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實現(xiàn)了對半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動電流的精準(zhǔn)控制；限流保護電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測到功率輸出。實驗結(jié)果表明，該電路可實現(xiàn)驅(qū)動電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長波動不超過±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。 發(fā)表于：4/21/2025 基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計 傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓撲出發(fā)，對該器件進行了電路設(shè)計、建模仿真與實驗驗證。測試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點的濾波響應(yīng)，實現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計。 發(fā)表于：4/21/2025 T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究 對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對器件抗靜電能力的影響并進行相關(guān)機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。 發(fā)表于：4/21/2025 ?12345678910…?
