2013年7月1日– 技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導廠商TriQuint半導體（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（GaN）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢。
TriQuint公司中國區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢。熊挺表示：“此項新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測試服務支持的氮化鎵工藝外，客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決最苛刻的射頻要求，能夠靈活地支持所有的客戶。”
著名的研究機構(gòu)Strategy Analytics預見了氮化鎵這種極具意義的增長。半導體業(yè)務部總監(jiān)Eric Higham說：“雖然國防領(lǐng)域是氮化鎵最大的營收來源，但氮化鎵在基礎(chǔ)構(gòu)架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星（Sat-Com）、功率和有線電視（CATV）也大大飆升了氮化鎵的營收。Strategy Analytics預測到2015年，氮化鎵微電子裝置的市場將以超過34%的復合年均增長率（CAAGR）增長大約至1.86億美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補充了一個高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V，同時為DC-10 GHz應用提供更高的擊穿電壓、更強的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢實現(xiàn)更堅固的設(shè)備，可承受可能會破壞其他電路的電壓駐波比（VSWR）的不匹配，同時提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝，該款新產(chǎn)品是一個適用于基礎(chǔ)構(gòu)架的120W功率封裝晶體管，體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術(shù)推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴大至了40 GHz，同時提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅（SiC）工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594（5W）和TGA2595（10W）Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達35％的功率附加效率（PAE），體積與相對的砷化鎵（GaAs）解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988，一個可用于有線電視和光纖到戶光學網(wǎng)絡的直接接入電路板式單片式微波集成電路（MMIC）放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成，在增益、復合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領(lǐng)先地位。
產(chǎn)品解決方案技術(shù)參數(shù)：如需了解更多信息，請聯(lián)系TriQuint。
放大器
|
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍(GHz) |
飽和功率(W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號 |
|
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
80 |
(49) / -- |
22 |
– / 55 |
28 / 125 |
Die |
TGA2814 |
|
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
100 |
(50) /-- |
22 |
– / 55 |
28 / 150 |
Die |
TGA2813 |
|
GaN C/X-Band HPA |
6 - 12 |
30 |
(45) / – |
30 |
– / 30 |
25 / 1100 |
Die |
TGA2590 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
20 |
(43) / -- |
25 |
– / 50 |
25 / 150 |
Die |
TGA2624 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2622 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
60 |
(48) / -- |
10 |
– / 35 |
24 / 2400 |
Die |
TGA2312-FL |
|
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2623 |
|
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
16 |
(42) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 150 |
Die |
TGA2625 |
|
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
5 |
(37) / -- |
19 |
– / 30 |
20 / 280 |
Die |
TGA2594 |
|
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
10 |
(40) / -- |
17 |
– / 25 |
20 / 560 |
Die |
TGA2595
|
驅(qū)動放大器
|
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍(GHz) |
飽和功率(W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號 |
|
GaN 2W Driver PA |
2 - 6 |
2 |
33 / -- |
23 |
-- / 30 |
25 / 170 |
Die |
TGA2597 |
低噪聲放大器
|
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍 (GHz) |
P1dB / IIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF |
電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號 |
|
GaN LNA |
2 - 6 |
25 |
25 |
1 |
10 / 100 |
Die |
TGA2611 |
|
GaN LNA |
6 - 12 |
25 |
25 |
1.5 |
10 / 100 |
Die |
TGA2612 |
離散式射頻功率晶體管
|
產(chǎn)品類型 |
頻率范圍 GHz) |
P1dB (Psat) |
增益(dB) |
DE |
電壓/電流 (V / mA) |
封裝方式 |
型號 |
|
GaN 120W: EAR99 |
DC - 3.5 |
120 |
13 |
52 |
36 / 360 |
Ceramic |
T1G4012036-FS / -FL |
|
GaN 10W: EAR99 |
DC - 6 |
40 |
16 |
53 |
32 / 50 |
5x5 QFN |
T1G6001032-SM |
關(guān)于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是為全球頂尖通信、國防和航空航天公司提供創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務的全球領(lǐng)先企業(yè)。全世界的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯(lián)系；TriQuint的產(chǎn)品可幫助降低用于提供關(guān)鍵語音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動設(shè)備與網(wǎng)絡的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內(nèi)最廣泛的技術(shù)系列、公認的研發(fā)領(lǐng)先地位以及在大規(guī)模制造領(lǐng)域的專業(yè)知識，TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、聲表面波(SAW) 和體聲波（BAW）技術(shù)的標準及定制產(chǎn)品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產(chǎn)中心，在北美地區(qū)和德國擁有設(shè)計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com。