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IR推出為通信電源應用提供基準性能的100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

2014-03-18

全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFETIRFH7185TRPbF,為通信應用中的DC-DC電源提供基準性能。

IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工藝,提供基準的導通電阻柵極電荷品質因子(Rds(on)*Qg figure of merit),以實現更高效率和功率密度,并且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IRFH7185TRPbF提供超低導通電阻,并且比同類型器件的柵極電荷顯著降低,所以從輕載到滿載都能達到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩電流密度達20%,為DC-DC通信電源提供行業最堅固耐用的解決方案。”

IR FastIRFET器件可與各種控制器或驅動器配合使用,從而使設計更靈活,在更小的占位面積實現更高的電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF達到工業級標準和第一級濕度敏感度(MSL1) 標準,并采用了行業標準封裝5x6 PQFN,所采用的材料環保,不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。

規格

 

封裝

器件編號

25°C時的最大Id

10Vgs時的

典型/ 最大導通電阻(Ω)

4.5V時的典型QG(nC)

10Vgs時的R*QG

PQFN 5×6

IRFH7185TRPBF

123A

4.2

36

151.2

 

有關產品現正接受批量訂單,相關數據請瀏覽IR的網站http://www.irf.com

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