引言
在電子電路中，寄生電容可謂無(wú)處不在。FET 柵極、布線、地和電源平面都會(huì)導(dǎo)致電容底線的增加。當(dāng)高速電路中的電容性負(fù)載變得很重時(shí)，謹(jǐn)慎仔細(xì)的運(yùn)算放大器選擇對(duì)于優(yōu)化轉(zhuǎn)換速率、電流輸出能力、功耗和反饋環(huán)路穩(wěn)定性而言極為重要。
苛刻的電路要求
例如，假設(shè)由一個(gè) 100MHz、2VP-P 正弦波信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 350pF 的電容性負(fù)載。在這種情況下，所需的無(wú)失真最小轉(zhuǎn)換速率為：
SRMIN = 2πfVPK
SRMIN = 2π (100MHz) (1V) ≈ 630 V
轉(zhuǎn)換速率設(shè)定了最大輸出電流 —– 放大器正在給一個(gè)電容器充電，因此，最大輸出電流將出現(xiàn)在最大轉(zhuǎn)換速率條件下。
I = C dV
I = (350pF) 630 V ≈ 220mA
最大功耗是一項(xiàng)重要的考慮因素。對(duì)于一個(gè)采用 ±5V 工作電源的運(yùn)算放大器，假設(shè)電容性負(fù)載在 0V 條件下起動(dòng)并以最大電流進(jìn)行充電，則峰值功率為：
P = IV
P = (220mA) (5V) ≈ 1.1W
當(dāng)采用一個(gè)具有 135°C/W 熱阻的封裝時(shí)，這種非常連續(xù)的功率將導(dǎo)致芯片溫度上升 148°C。如果環(huán)境溫度為 85°C，則將使芯片溫度達(dá)到足以熔化封裝的 233°C！
為了使 CLOAD 與放大器隔離，設(shè)計(jì)方案可以采用一個(gè)串聯(lián)電阻器 RS。當(dāng)電阻器或電容性負(fù)載變得非常大的時(shí)候，這種方法最終將限制帶寬。由于該 RC 時(shí)間常數(shù)所造成的帶寬縮減有可能對(duì)性能產(chǎn)生限制。當(dāng)采用電流反饋放大器時(shí)，增大反饋電阻器 RF 是一種用于抑制峰化的替代補(bǔ)償方法。
纖巧型電流反饋放大器
對(duì)于上述的高速、大電容性負(fù)載實(shí)例，400MHz 電流反饋放大器系列 LT®1395/LT1396/LT1397 肯定可以滿足轉(zhuǎn)換速率要求。LT1395/LT1396/LT1397 能夠迅速地處理大信號(hào)，并提供 80mA 的最小保證輸出電流。不過(guò)，對(duì)于上例來(lái)說(shuō)，該放大器系列達(dá)不到 220mA 的電流要求。在這種場(chǎng)合，雖然一個(gè)放大器或許不夠，但 4 個(gè)肯定足夠了。把這些放大器并聯(lián)起來(lái)將能夠滿足電流要求，同時(shí)維持安全的功耗和穩(wěn)定性。
LT1397 四通道放大器專為在保持上佳熱特性時(shí)推動(dòng)大電流負(fù)載而設(shè)計(jì)。纖巧型 4mm x 3mm DFN 封裝的銅質(zhì)下腹部把熱阻降至 43°C/W，就上面所舉的例子來(lái)說(shuō)，芯片溫度將僅會(huì)上升至比環(huán)境溫度高 47°C 的水平。
元件的選擇和測(cè)試
無(wú)需組裝完整的并聯(lián)配置，可以構(gòu)建一個(gè)單放大器測(cè)試電路，用于檢查負(fù)載電容除以所采用放大器數(shù)目的結(jié)果 (CLOAD/4)。
剩下的工作便是選擇反饋電阻器 (RF) 和串聯(lián)電阻器 (RS) 的合適阻值，以最大限度地增加 -3dB 帶寬，并充分地實(shí)現(xiàn)頻率響應(yīng)中峰化值的最小化。不管是 RF 還是 RS ，較小的阻值都將導(dǎo)致帶寬和峰化的增加。RF 具有一個(gè)約 255Ω 的實(shí)際下限。當(dāng)負(fù)載電容增加時(shí)，RF 和/或 RS 的阻值必須增大，以維持穩(wěn)定性。
圖 2 示出了采用圖 1 所示的四放大器電路以及不同的 RF/RS 組合和 350pF 總負(fù)載電容時(shí)的測(cè)量結(jié)果。測(cè)量是在增益等于 1 的條件下進(jìn)行，因此未采用 RG。
圖 1：采用全部 4 個(gè)放大器 (LT1397) 來(lái)驅(qū)動(dòng)大電容性負(fù)載
驅(qū)動(dòng) 350pF 負(fù)載電容的合適 RF 和 RS" border="0" height="217" hspace="0" src="http://files.chinaaet.com/images/20100810/acfb5dde-a033-4a5f-9365-90ebbeeb0d7c.jpg" width="252" />
圖 2：選擇用于驅(qū)動(dòng) 350pF 負(fù)載電容的合適 RF 和 RS (當(dāng)并聯(lián) 4 個(gè) LT1397 放大器)
四放大器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相比于單放大器的效力優(yōu)勢(shì)可從圖 3 看出。為了顯示一個(gè)更具代表性的效果，我們把負(fù)載電容增至原來(lái)的 3 倍 (1000pF)。四放大器并聯(lián)電路能夠在不到 10ns 的時(shí)間里把 4V 電壓轉(zhuǎn)換至 1000pF 的負(fù)載電容中。這對(duì)應(yīng)于一個(gè) 400mA 的轉(zhuǎn)換輸出電流。單放大器結(jié)構(gòu)的電流限值約為 140mA，從而降低了至該大電容性負(fù)載的轉(zhuǎn)換速率。對(duì)于單放大器配置，相同的 4V 轉(zhuǎn)換需要 28ns 的時(shí)間，這幾乎是四放大器配置的三倍。
圖 3：當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pF 電容性負(fù)載時(shí)，四放大器 配置的速度高于單放大器配置。單放大器配置的響應(yīng) 時(shí)間比四放大器配置慢了近三倍。
結(jié)論
應(yīng)始終考慮采用在一個(gè)纖巧的功率增強(qiáng)型封裝中的全部可用放大器，以提供快速轉(zhuǎn)換重電容性負(fù)載所需的驅(qū)動(dòng)能力。還應(yīng)考慮使用電流反饋放大器 (例如：LT1397)，以簡(jiǎn)化非常寬帶寬電路的控制。