臺積電、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 納米制程爭戰(zhàn)，而現(xiàn)在臺積電有望領先群雄在 2017 年國際固態(tài)電路研討會（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先發(fā)布 7 納米 FinFET 技術！

　　全球 IC 設計領域論文發(fā)布最高指標國際固態(tài)電路研討會（ISSCC）下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場，臺積電設計暨技術平臺組織副總侯永清將擔任特邀報告（Plenary Talks）講者。

　　這次臺積電 5 篇論文獲選（美國臺積電 1 篇），2 篇論文為類比電路領域，內存電路設計則有 3 篇。

　　值得關注的是，此次臺積電將領先業(yè)界在大會上發(fā)布 7 納米 FinFET 技術。揭示迄今最小位數(shù) SRAM 在 7 納米 FinFET 的應用，驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試芯片在 7 納米制程下，能大幅提升手機、平板電腦中央處理芯片運算速度，同時滿足低功率需求。

　　臺積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵，先從內存下手，當良率提升到一定程度再導入邏輯產(chǎn)品。臺積電先前預估 10 納米年底量產(chǎn)、7 納米最快 2018 年第一季生產(chǎn)，然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進度后，臺積電與三星在 10 納米、7 納米先進制程展開激烈纏斗。

　　三星在 10 月初搶先臺積電宣布 10 納米量產(chǎn)，市場近期傳出臺積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產(chǎn)、4 月接單，拉升 7 納米制程戰(zhàn)火。三星在 7 納米就引進極紫外光（EUV）微影設備，力拼 2017 年年底 7 納米量產(chǎn)。

　　而格羅方德則宣布跳過 10 納米，直接轉進 7 納米，預估 2017 年下半可進行產(chǎn)品設計定案（tape out），2018 年初開始風險生產(chǎn)（risk production）。