2018年3月29日，華虹半導(dǎo)體公布2017年度的經(jīng)審核合并業(yè)績：
2017年銷售收入再創(chuàng)歷史新高，達(dá)8.08億美元，增長12.0%。
2017年毛利率33.1%，上升2.6個百分點(diǎn)，主要得益于平均銷售價格提升及產(chǎn)品組合優(yōu)化，部分被折舊成本增加所抵銷。
2017年年內(nèi)溢利創(chuàng)歷史新高，由1.29億美元增加12.8%至1.45億美元。
2017年每股盈利為0.14美元，增加0.02美元。
2017年凈資產(chǎn)收益率為9.1%，提升0.5個百分點(diǎn)。
2017年經(jīng)營活動所得現(xiàn)金流量凈額由2.12億美元增加21.9%至2.58億美元。
2017年月產(chǎn)能由15.5萬片增至16.8萬片。
2017年資本開支1.38億美元，上年度為1.73億美元。
營收和盈利雙成長，再創(chuàng)新高
2017年華虹半導(dǎo)體營收總額再創(chuàng)新高，突破8億美元，達(dá)8.08億美元，較2016年的營收總額 7.21億美元增長12.0%；凈利潤為1.45億美元，較2016年的1.29億美元成長12.75%。公司自2011年第一季重新盈利后，保持了連續(xù)7年28個季度盈利。
華虹半導(dǎo)體表示，營收的成長是基于電子消費(fèi)品、工業(yè)及汽車應(yīng)用市場的日益增長的需求以及整體差異化技術(shù)平臺的持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)所致。
2017年，華虹半導(dǎo)體“四箭齊發(fā)”（持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)+特色創(chuàng)新+全球市場+戰(zhàn)略升級），實現(xiàn)了規(guī)模、質(zhì)量、效益、研發(fā)能力和市場競爭力同步提升。
堅持差異化創(chuàng)新之路
華虹半導(dǎo)體在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻SOI等技術(shù)領(lǐng)域深耕創(chuàng)新，繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。公司以高技術(shù)、高成長、高利潤作為企業(yè)發(fā)展定位，核心業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，所銷售產(chǎn)品幾乎涵蓋了所有相關(guān)領(lǐng)域，尤其是金融IC卡、身份證、深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）、IGBT和電源管理芯片。
在加強(qiáng)創(chuàng)新的同時，華虹半導(dǎo)體依托廣泛而靈活的全球化布局，在細(xì)分市場的領(lǐng)導(dǎo)地位再次得到證明。作為全球最大的功率器件純晶圓代工企業(yè)，已累計出貨200mm晶圓約570萬片。金融IC卡芯片方面，2017年通過與一流客戶的緊密合作，出貨量同比增長超過200%，創(chuàng)歷史新高。MCU方面，2017年出貨超過30萬片200mm晶圓，并持續(xù)穩(wěn)步增長。
2017年公司持續(xù)研發(fā)、優(yōu)化工藝平臺及配套IP，繼續(xù)鞏固在既有優(yōu)勢領(lǐng)域中的領(lǐng)先地位，并發(fā)力于智能控制、5G、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)和綠色能源等重點(diǎn)領(lǐng)域。
產(chǎn)能持續(xù)攀升，產(chǎn)能利用率保持穩(wěn)定
三座晶圓廠的產(chǎn)能有序擴(kuò)增，產(chǎn)出接連刷新歷史紀(jì)錄，截止2017年12月，F(xiàn)AB1的月產(chǎn)能由2016年12月的5.6萬片增至6.3萬片，F(xiàn)AB3的月產(chǎn)能2016年12月的由4.2萬片增至4.8萬片，月總產(chǎn)能由2016年12月的15.5萬片增至16.8萬片。
公司在有序擴(kuò)產(chǎn)的同時，產(chǎn)能利用率保持穩(wěn)定。2017年晶圓出貨為186.9萬片，較2016年的178.7萬片增長4.59%，2017年的產(chǎn)能利用率為98.1%，較2016年的97.6%，增長了0.5個百分點(diǎn)。
聚力出發(fā)芯征程，12寸新基地獲大基金強(qiáng)力支持
十三屆人大會議上，集成電路再次被寫入政府工作報告，被列為優(yōu)先發(fā)展的首個戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的輪回。2017年，“908”工程基地（無錫市）攜手“909”工程承載者（華虹集團(tuán)）共鑄“910”工程輝煌！
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地鳥瞰圖
華虹集成電路研發(fā)和制造基地項目落戶無錫，項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。項目計劃2019年上半年完成土建，2019年下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機(jī)電設(shè)備安裝通線并逐步實現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。預(yù)計項目完全達(dá)產(chǎn)后，年產(chǎn)值50億元。首期項目實施后，將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設(shè)。
華虹無錫基地一期項目得到大基金9.22億美元的強(qiáng)力金援，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，形成資本、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的疊加優(yōu)勢，對于推動中國集成電路制造產(chǎn)業(yè)整體競爭力的提升，促進(jìn)全產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動協(xié)同發(fā)展，具有重要意義。
華虹表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已然駛向新藍(lán)海，需求為帆，實力做槳，公司將不斷拉高標(biāo)桿、乘勢而上，奮楫爭先。
華虹半導(dǎo)體在給股東的信中表示，新起點(diǎn)、「芯」征程，惟不忘初心者進(jìn)，惟堅守匠心者強(qiáng)，惟砥礪奮進(jìn)者勝。公司必定再聚力、再出發(fā)，在堅持中深化，在深化中發(fā)展。將始終保持市場敏銳度和洞察力，強(qiáng)化三座200mm晶圓廠的長期經(jīng)營發(fā)展，同時還將全力以赴做好華虹無錫基地項目建設(shè)，以更強(qiáng)的姿態(tài)主動應(yīng)對全球市場競爭，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展貢獻(xiàn)中堅力量。