一種消除失調(diào)電壓的低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)電路
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
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文檔介紹：提出了一種利用多晶硅電阻的溫度系數(shù)補(bǔ)償負(fù)溫度系數(shù)電壓實(shí)現(xiàn)低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電路，并且引入由二分頻時鐘控制的CMOS開關(guān)，使產(chǎn)生的失調(diào)電壓正負(fù)交替做周期性變化相互抵消。采用BiCMOS 0.35 ?滋m工藝設(shè)計。仿真結(jié)果表明，此方法能夠使MOS管在失配10%的情況下降低97%的失配，溫度系數(shù)可達(dá)5.2 ppm/℃。工作電壓為1.5 V～3.3 V、工作溫度為-40 ℃～+70 ℃且工作在1.8 V常溫下時，電路的工作電壓為1.144 3 V，總電流為29.13 ?滋A，低頻處的電源抑制比為-70 dB。
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