知名分析機構IC Insights日前修訂了他們對半導體企業(yè)資本支出的統(tǒng)計。根據(jù)他們的數(shù)據(jù)顯示，三星2018年在IC方面的的資本支出領先于所有的競爭對手。雖然相對于2017年的242億美元支出，三星在今年的表現(xiàn)稍微下滑，但他們在2018年的資本支出也達到了驚人的226億美元，與2016相比還是翻了一倍。如果統(tǒng)計三星在近兩年的資本支出，我們會發(fā)現(xiàn)這個數(shù)據(jù)會達到驚人的468億美元。

為了說明三星這個資本支出的可怕性，我們可以與華為進行對比。他們在最近的采訪中曾提過，每年投入到研發(fā)中的成本為100到兩百億美元，也就是說三星光是半導體上面的資本支出是華為的兩倍多。與Intel今年150億美元的資本支出相比，三星也是遙遙領先。

如上圖所示，三星半導體的資本支出首次超過100億美元是在2010年，直到 2016年，他們平均每年的支出也僅為120億美元。然而，在2016年支出113億美元后，該公司的2017年資本支出預算直接增加了一倍以上，在2018年同樣保持了強勁資本支出勢頭，這一事實同樣令人印象深刻。

IC Insights認為，三星2017年和2018年的大規(guī)模支出將在未來產生影響。已經開始的一個影響是3D NAND閃存市場的產能過剩期。這種產能過剩的情況不僅歸因于三星對3D NAND閃存的巨額支出，還來自競爭對手（例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等）的投入，這些競爭對手試圖跟上這個細分市場的發(fā)展步伐，這就造成了今天的局面。

隨著DRAM和NAND flash市場在2018年前三季度出現(xiàn)強勁增長，SK海力士今年的資本支出也持續(xù)增加。在1Q18的時候，SK海力士表示，它計劃今年將其資本支出開支增加“至少30％”。而在11月的更新，IC Insights預測SK海力士的半導體資本支出將增長58％。SK海力士今年增加的開支主要集中在兩個大型內存晶圓廠：韓國清州的3D NAND閃存晶圓廠以及中國無錫大型DRAM晶圓廠的擴建。清州工廠將在今年年底前開業(yè)，無錫工廠同樣計劃在今年年底前開業(yè)，這比原先設定的2019年初開始日期提早幾個月。

IC Insights認為，半導體行業(yè)今年的資本支出總額將增長15％至1071億美元，這是該行業(yè)首次實現(xiàn)年度行業(yè)資本支出首次達到1000億美元。但我們預估，繼今年全行業(yè)增長之后，預計2019年半導體資本支出將下降12％（下圖）。

鑒于目前內存市場的疲軟預計至少會延續(xù)到明年上半年，三大內存供應商三星，SK海力士和美光的總資本支出預計將從454億美元下降至2018年2019年為375億美元，下降了17％。

總體而言，預計今年將占總支出66％的前五大廠商預計將在2019年削減14％的資本支出，而其余的半導體行業(yè)公司將下降7％。