幾十年來，芯片始終依賴于互補金氧半導體電路（CMOS）技術。雖然CMOS電子元件仍遵循摩爾定律，但隨著元件大小越來越接近單個原子尺寸，現有的芯片制程技術已經越來越逼近了物理極限。例如，寬度為 10nm 的晶體管柵極結構，其允許誤差僅為 1nm，這僅相當于3至4個原子層的厚度。而芯片制程要繼續往3nm甚至是1nm制程推進將面臨更多的困難，很快摩爾定律可能將難以為繼。

延續“摩爾定律”的新技術

而為了推動摩爾定律在未來的繼續前進，以及可能的后摩爾時代的到來，英特爾很早就開始積極研究如納米線晶體管、III－V 材料（如砷化鎵和磷化銦）晶體管、硅晶片的3D堆疊、高密度內存、（EUV）光刻技術、自旋電子（一種超越CMOS的技術，當CMOS無法再進行微縮的時候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路）、神經元計算等一些列前沿技術項目。

神經擬態計算芯片Loihi

早在去年9月底的時候，英特爾就公布了其首款神經擬態計算（類腦）芯片Loihi，這是全球首款具有自我學習能力的芯片。

據介紹，Loihi采用的是異構設計，由128個Neuromorphic Core（神經形態的核心）＋3個低功耗的英特爾X86核心組成，號稱擁有13萬個神經元和1．3億個觸突。

與其他典型的脈沖神經網絡相比，在解決MNIST數字識別問題時，以實現一定準確率所需要的總操作數來看，Loihi芯片學習速度提高了100萬倍。與卷積神經網絡和深度學習神經網絡相比，Loihi測試芯片在同樣的任務中需要的資源更少。

此外，在能效比方面，與訓練人工智能系統的通用計算芯片相比，Loihi芯片的能效提升了100倍以上。

除了在神經元計算方面已經推出測試芯片之外，現在英特爾在自旋電子技術等方面也已經取得了突破。

自旋電子學技術原理

我們都知道，當電荷打開或關閉調節電子流動的門的時候，標準的CPU會將其讀取為0或1。而“自旋”作為一種量子力學屬性，可以使電子像具有南北極的磁鐵那樣運動。自旋電子學技術的基本原理就是，通過精確控制電子“朝上”或“朝下”自旋的特性，將這些朝相反方向旋轉的電子排列在薄膜等物質上，形成磁場，得到電子計算需要的“正”和“負”或“０”和“１”。這也使得自旋電子學技術可以被應用到存儲和數據處理當中。

其實，自旋電子學誕生至今已經有二十多年。1997年國際商用機器公司就利用自旋電子學原理生產出了新型磁頭，正是這種磁頭使電腦硬盤的數據存儲量在過去幾年內提高了40倍。眾多的芯片制造商也認為，自旋電子學技術可以被用于下一代的計算芯片當中。

而采用自旋電子學原理生產出來的計算芯片，其運算速度將大大快于今天的半導體芯片，而且能耗極低，幾乎不發熱。因為在沒有恒定電源的情況下，自旋電子器件可以保持其磁性，這是傳統硅存儲器芯片仍然需要的。由于它們不需要恒定電源，因此自旋電子設備可以在超低功率水平下運行。與傳統的芯片相比，這些器件產生的熱量要少得多。

但是，基于自旋電子技術的芯片的納米級結構中不可避免的缺陷也將改變它們的動量，并且由于動量影響旋轉，電子的速度或軌跡的變化可以在它們被處理器讀取之前改變它們的預期自旋狀態，可能導致亂碼。這也使得要研制出采用這種技術的中央處理器芯片變得非常的困難。

不過，近年的研究發現，采用鉍氧化銦的材料來作為晶體材料，可以具有一組原子對稱性，似乎可以將將電子的旋轉固定在某個方向上，與其動量無關。而鉍氧化銦的原子對稱性也能存在于其他晶體材料中，這也意味著通過新的晶體材料，工程師可以使用電壓來控制電子旋轉，而不必擔心缺陷如何會影響電子的動量。這也為基于自旋電子技術的計算機芯片打開了大門。

英特爾在“自旋電子學”技術領域取得新進展

據外媒報道，英特爾近日已在“自旋電子學”的技術領域取得新進展。當地時間本周一，英特爾和加州大學伯克利分校的研究人員公布了他們的自旋電子學研究進展。

英特爾團隊的研究為一種名為“磁電旋轉軌道”（MESO）的邏輯元件。具體來說，該元件使用氧、鉍和鐵原子的晶格，提供有利的電磁屬性以便外力可存儲并讀取信息。這種元件所需的功率大大小于CMOS晶體管。研究人員還表示，又因為他們無需激活即可保留信息，他們還可以在設備閑置時提供更加節能的睡眠模式。

據英特爾介紹，其利用自旋電子技術可以將芯片元件的尺寸縮小到目前尺寸大小的五分之一，并降低能耗90－97％。一旦商業成功，該技術可為近年來處理性能增長平平的芯片產業帶來巨大的動力。

“我們正努力就下一代晶體管引領行業和學術創新的浪潮，”英特爾組件研究小組的項目負責人Sasikanth Manipatruni在聲明中寫道。