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三星狠砸1158億美元,要十年內超越臺積電

2019-04-27

4月24日,三星電子宣布,將在未來10年內(至2030年)在包括代工服務在內的其邏輯芯片(主要指CPU、GPU等計算芯片)業(yè)務上投資133兆韓元 (約1158億美元 ),以期超越臺積電,成為全球第一大芯片代工廠,并維持對英特爾的領先,坐穩(wěn)全球第一大半導體廠商的寶座。

據(jù)介紹,該筆投資將包含73兆韓元的國內研發(fā),以及60兆韓元的生產(chǎn)基礎設施,預計將為每年平均投資11兆韓元。

韓國政府積極支持這項計劃,目標在發(fā)展國內半導體產(chǎn)業(yè),以減少國內對存儲芯片業(yè)務的嚴重依賴,并更好地抵御中國制造商崛起所帶來的市場挑戰(zhàn)。

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根據(jù)全球研究公司Gartner的數(shù)據(jù),去年非存儲芯片市場的價值為3,646億美元,是整體芯片市場的65%,也是存儲芯片市場的兩倍多。

另一方面,根據(jù)市場研究公司TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示,臺積電在2018 年上半年全球代工市場市占率為56.1%。三星則以7.4% 排名第四。

三星加大對邏輯芯片投資主要目的,無外乎是跟臺積電在邏輯制程上競爭,強化芯片代工業(yè)務(此前三星以拿下高通多款旗艦芯片的代工)。雖然三星也有自己的Exynos系列處理器,但是主要還是應用在自家產(chǎn)品當中,所帶來的貢獻也相對有限。并且三星的高端旗艦手機依然是難以擺脫對高通的依賴,即使是有基于自家Exynos版本的旗艦機,但出貨主力還是基于高通的芯片平臺。

邏輯芯片的市場現(xiàn)狀,幾大巨頭競爭

邏輯芯片廠商雖然很多,但是競爭主要還是集中在邏輯芯片代工領域,因為大多數(shù)的邏輯芯片廠商都是無晶圓的IC設計廠商,比如高通、蘋果、華為等等,其芯片的生產(chǎn)主要還是由臺積電、三星等代工廠來完成。而在芯片代工領域需要的技術及資金投入更為巨大,門檻更高,因此玩家也相對有限,但是競爭卻非常的慘烈。

如果從技術領先性和業(yè)務規(guī)模來看,目前這個領域的主要玩家有臺積電、英特爾、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國際等。

不過隨著邏輯芯片工藝制程推進的越來越困難,有不少廠商開始退出了先進制程的研發(fā),比如去年聯(lián)電就宣布放棄12nm以下工藝的研發(fā),格芯也放棄了7nm項目,并且今年還接連出售了兩座晶圓代工廠。而目前英特爾的10nm工藝(相當于臺積電7nm)遲遲沒有量產(chǎn),并且其芯片代工業(yè)務規(guī)模相對較小(主要是供自家使用)。可以說,接下來的市場競爭將會集中在臺積電和三星之間。

從技術領先性上來,臺積電一馬當先,去年就量產(chǎn)了7nm工藝,今年4月其5nm制程就正式進入了試產(chǎn)。相比之下,三星雖然在存儲芯片這類非邏輯芯片制造領域占據(jù)極大優(yōu)勢,但是在邏輯芯片代工業(yè)務上卻一直落后于臺積電。

過去,三星在存儲芯片業(yè)務上的投入一直很大。有分析師表示,三星每年在數(shù)據(jù)存儲芯片上的支出高達10萬億韓元,而數(shù)據(jù)存儲芯片也是三星的主要收入來源。

資料也顯示,早在2011年,三星存儲芯片營收規(guī)模大約為230億美元,而邏輯芯片銷售額僅100億美元,還不及存儲業(yè)務的1/2。

2012年,隨著市場對智能手機和平板電腦需求的增長,移動設備處理器需求的增加,三星開始加大對于邏輯芯片的投資。當年6月,三星投資19億美元構建一條新的邏輯芯片生產(chǎn)線,生產(chǎn)移動設備處理器。

不過最近幾年,隨著大數(shù)據(jù)的爆發(fā),市場對于存儲芯片需求的猛增,導致了半導體廠商紛紛加大了對于存儲芯片的投入,邏輯芯片增長開始放緩。

2017年IC insights就曾預測,在主要的IC類別類別中,內存芯片銷售預計在未來五年內表現(xiàn)出最強勁的增長速度。IC市場區(qū)分為四大產(chǎn)品類別:模擬IC、邏輯芯片、內存、和微處理器,其中邏輯芯片市場年均年增長僅為2.9%。

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不過,即便如此,三星也仍在不斷加大對于Exynos芯片以及芯片代工業(yè)務的投入。持續(xù)性的大量的投入,使得三星Exyons芯片性能快速提升,并與高通縮小差距,同時在芯片制程技術上,也與臺積電的差距越來越小。

2017年,三星為強化芯片代工業(yè)務,把公司芯片代工業(yè)務剝離出來,成為為了一個獨立部門,足見三星對于發(fā)展芯片代工業(yè)務之重視。而三星在包括代工業(yè)務在內的邏輯芯片上的發(fā)展也離不開韓國本土半導體人才的支持。

值得注意的是,韓國先進科技學院有三分之二名教授教的內容與邏輯芯片有關。韓國先進科技學院電子工程部主席 Kim Joung-h(huán)o說:“這種改變不是一天兩天,也不是一年兩年發(fā)生的。”

Kim Joung-h(huán)o說韓國政府和科技教育者很久以前就知道,開發(fā)邏輯芯片符合國家的長遠利益,也符合三星等企業(yè)的長遠利益。他說:“我們要在韓國開發(fā)高通、英特爾所擁有的技術。”

此外,三星為了提高移動處理器的產(chǎn)量,不斷將已有生產(chǎn)線轉變?yōu)檫壿嬓酒a(chǎn)線。此次三星宣布至2030年將投資133兆韓元 (1157億美元 ),加強在System LSI和Foundry業(yè)務方面的競爭力,也將進一步提升其邏輯芯片技術和產(chǎn)能。

值得注意的是,4月23日,韓國內存大廠 SK 海力士也在考慮收購部分邏輯芯片制造商美格納(MagnaChip)的產(chǎn)能,用于擴大其8英寸晶圓的生產(chǎn)線。MagnaChip在韓國清州市的晶圓代工廠,而清州市剛好是 SK 海力士半導體生產(chǎn)的重要基地,如果拿下 MagnaChip 的清洲廠,可以強化SK海力士的8英寸晶圓廠產(chǎn)能,還可以就近產(chǎn)生群聚效應。

與內存龍頭三星相同,SK海力士由于近來全球內存市場需求放緩,開始加強發(fā)展手機核心處理器、圖像傳感器和汽車芯片等邏輯芯片的市場。因此,對于邏輯芯片的產(chǎn)能需求提升。

由于圖像傳感器和汽車芯片等邏輯芯片產(chǎn)品的市場,隨應用增加而供不應求,使得許多當前許多晶圓代工廠的 8 英寸廠產(chǎn)能位處于滿載的狀態(tài)。而為了應付市場的需求,除了 SK 海力士期望自 MagnaChip 取得 8 英寸廠產(chǎn)能之外,日前晶圓代工龍頭臺積電也在時隔 15 年后,在南科再開設 8 英寸晶圓廠。

幾大晶圓代工廠誰能笑到最后?

隨著主流CMOS工藝在理論,實踐和經(jīng)濟方面的限制,降低IC成本(基于每個功能或每個性能)比以往任何時候都更具挑戰(zhàn)性和挑戰(zhàn)性。

下圖列出了各公司目前使用的幾種領先的高級邏輯制程技術:

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英特爾 :其2018年末推出的第九代處理器,仍然是在14nm 工藝的增強版本上制造的,或者可能被認為是14nm 工藝。而其使用10nm工藝需要2019年底才能量產(chǎn)。

臺積電:臺積電去年已經(jīng)率先量產(chǎn)了7nm工藝。臺積電相信7nm產(chǎn)品將成為28nm和16nm等長壽命節(jié)點。目前,臺積電5納米工藝正在開發(fā)中,預計將于2019年上半年進入風險生產(chǎn)階段,到2020年將開始量產(chǎn)。該工藝將使用EUV,但它不會是臺積電利用EUV技術的第一個流程。今年臺積電的將會量產(chǎn)基于EUV技術的7nm改進版本。N7 工藝僅在關鍵層(四層)上使用EUV,而N5工藝將廣泛使用EUV(最多14層)。N7 計劃于2019年第二季度投入量產(chǎn)。

三星:在2018年初,三星開始批量生產(chǎn)第二代10nm工藝,稱為10LPP(低功率 )。在2018年晚些時候,三星推出了第三代10nm工藝,稱為10LPU(低功耗終極),提供了另一項性能提升。三星采用10nm的三重圖案光刻技術。與臺積電不同,三星認為其10納米工藝系列(包括8納米衍生產(chǎn)品)的生命周期很長。

三星的7nm技術于2018年10月投入風險生產(chǎn)。該公司不再提供采用浸沒式光刻技術的7nm工藝,而是決定直接采用基于EUV的7nm工藝。

格芯:格芯將其22nm FD-SOI工藝視為其市場,并與其14nm FinFET技術相輔相成。該公司稱22FDX平臺的性能與FinFET非常接近,但制造成本與28nm技術相同。2018年8月,格芯宣布將停止7nm開發(fā),因為該技術節(jié)點的生產(chǎn)成本增加,并且因為有太少的代工客戶計劃使用下一代工藝,因此對戰(zhàn)略進行了重大轉變。因此,該公司轉向其研發(fā)工作,以進一步增強其14nm和12nm FinFET工藝及其完全耗盡的SOI技術。而目前,格芯為擺脫財務困境,已經(jīng)出售了兩座晶圓代工廠。

中芯國際:在芯片大牛梁孟松加盟之后,去年2季度,中芯國際的14nm工藝就取得了重大突破。今年2月份,中芯國際對外宣布,今年上半年將會大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝,良品率達到了95%,已經(jīng)非常成熟。當然這與臺積電、三星等廠商相比仍有很大差距。

總結來看,正如前面所提及的,目前芯片代工領域,臺積電是老大,三星雖然在制程工藝上緊跟,但是技術上仍有一定差距,在代工業(yè)務規(guī)模上差距更是巨大。不過,這也給了三星足夠的增長空間。此次,三星的1158億美元投資計劃,將有望幫助三星進一步縮小與臺積電的差距,甚至是在10年內反超。


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