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臺積電6nm制程工藝將至,明年Q1試產

2019-05-07
關鍵詞: Intel 華為 麒麟 晶體管

雖然Intel在10nm工藝上卡殼了,但是它的對手們卻是突飛猛進,勢如破竹;比如臺積電,前腳才剛宣布5nm EUV工藝試產,后腳又來了個6nm(N6)工藝官宣。

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據悉,臺積電新推的6nm制程工藝系7nm基礎上改進而來,號稱在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度增強,可提供極具競爭力的高性價比,并能加速產品研發、量產、上市速度。

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周知,目前臺積電7nm工藝有兩個版本,第一代采用傳統DUV光刻技術,第二代則是首次加入EUV極紫外光刻,已進入試產階段,預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用。而新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術,聲稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18%,同時設計規則完全兼容第一代7nm,便于升級遷移,降低成本。

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臺積電6nm預計2020年第一季度試產,主要服務于中高端移動芯片、消費應用終端、AI、網絡、5G、高性能計算芯片等。

臺積電CEO兼副董事長魏哲家(CC Wei)表示:“絕大多數7nm工藝客戶,都會轉向6nm工藝,使用率和量產產能都會迅速擴大。”2019年臺積電憑借這兩者合計可貢獻大約25%的收入。

不過,大家切忌認為臺積電的7nm就一定比Intel的10nm強,不同晶圓加工廠對工藝的標準都不盡相同,叫法當然也是五花八門;目前業界普遍認為臺積電的7nm其實就差不多等同于Intel的10nm;但5nm,可能就真的要甩開Intel一大截了!不過,確實這樣的叫法很容易讓普通消費者產生誤解,這方面私以為臺積電和三星都耍了滑頭,Intel有點吃虧!


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