在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。

　　除了3nm工藝，實(shí)際上三星還準(zhǔn)備了其他各種各樣的工藝，從14、10nm節(jié)點(diǎn)往下覆蓋到每一個(gè)數(shù)字上了，未來(lái)還要進(jìn)軍3nm以下的2nm甚至1nm工藝，要挑戰(zhàn)半導(dǎo)體的物理學(xué)極限。

　　這也帶來(lái)了另外一個(gè)問(wèn)題，那就是大家對(duì)三星的制程工藝感覺(jué)很混亂，比如高通的驍龍?zhí)幚砥鳎萌谴さ木陀?0nm工藝，還有11nm工藝的，也有8nm工藝的，未來(lái)可能還有6nm、5nm工藝的，這些工藝都有什么區(qū)別？

　　Cacdence公司官方博客專(zhuān)欄作家保羅麥克萊倫日前撰文分析了三星的制程工藝，用一張簡(jiǎn)潔而且清晰的圖標(biāo)匯總了三星目前的制程工藝，如下所示：

　　三星目前的工藝實(shí)際上分為四大節(jié)點(diǎn)，分別是14nm、10nm、7nm及3nm，每代節(jié)點(diǎn)還會(huì)有多個(gè)衍生版，其中14nm節(jié)點(diǎn)有14nm LPE、14nm LPP、14nm LPC、14nm LPU及11nm LPP版本，10nm節(jié)點(diǎn)有10nm LPE、10nm LPP、8nm LPP、8nm LPU及尚在開(kāi)發(fā)中的版本。

　　7nm節(jié)點(diǎn)中，三星這一次放棄LPE低功耗，直接進(jìn)入了7nm LPP（還有EUV光刻工藝輔助）、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版。

　　真正發(fā)生重大變革的是3nm節(jié)點(diǎn)，因?yàn)?nm開(kāi)始會(huì)放棄FinFET轉(zhuǎn)向GAA晶體管，第一代是3GAE工藝，還有優(yōu)化版3GAP工藝，后續(xù)還在繼續(xù)優(yōu)化改良中。

　　三星各個(gè)工藝的時(shí)間點(diǎn)也不同，7nm EUV工藝今年4月份開(kāi)始量產(chǎn)，下半年開(kāi)始推6nm工藝，5nm工藝今年4月份完成開(kāi)發(fā)，下半年首次流片，2020年量產(chǎn)。

　　4nm工藝今年下半年完成開(kāi)發(fā)，而3nm GAE工藝已經(jīng)發(fā)布了1.0版PDK，預(yù)期是2021年量產(chǎn)。