近日，宜普公司（EPC）宣布15 V的EPC2216成功通過(guò)AEC Q101認(rèn)證，專為需要高準(zhǔn)確性的激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如全自動(dòng)駕駛汽車，以及其它的飛行時(shí)間（ToF）應(yīng)用，包括人面識(shí)別、自動(dòng)化倉(cāng)庫(kù)、無(wú)人機(jī)及地圖制作。

　　氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管EPC2216 是15 V、26 mΩ、28 A脈沖電流、1.02 mm2占板面積的器件，非常適合在激光雷達(dá)系統(tǒng)發(fā)射激光，因?yàn)樗梢援a(chǎn)生大電流、極短脈寬。短脈寬可實(shí)現(xiàn)更高分辨率，而小尺寸及低成本使得氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是ToF應(yīng)用的理想器件，其應(yīng)用范圍廣闊，包括車用、工業(yè)、醫(yī)療保健，以致智能廣告、游戲及保安。

　　要完成AEC Q101測(cè)試，宜普（EPC）公司的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)了在嚴(yán)峻環(huán)境下及偏壓測(cè)試，包括高濕反向偏壓測(cè)試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環(huán)（TC）及其它多個(gè)測(cè)試。此外，宜普公司的WLCS封裝符合用來(lái)測(cè)試采用傳統(tǒng)封裝的器件的所有測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，展示出采用高性能芯片級(jí)封裝的氮化鎵晶體管不會(huì)影響其穩(wěn)固性或高可靠性。這些氮化鎵（eGaN）器件在取得汽車質(zhì)量管理系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)IATF 16949認(rèn)證的設(shè)備內(nèi)生產(chǎn)。

　　宜普公司的首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱，“這個(gè)車用器件是EPC的晶體管及集成電路系列的全新產(chǎn)品之一，專為全自動(dòng)駕駛汽車而設(shè)計(jì),可提高分辨率及降低所有ToF應(yīng)用的成本。”

　　產(chǎn)品價(jià)格及供貨詳情：

　　每卷2500個(gè)EPC2216 eGaN FET的單價(jià)為0.532美元，可以立即從Digikey購(gòu)買。

　　關(guān)于宜普電源轉(zhuǎn)換公司：

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管就集成電路，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、無(wú)線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。

　　此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。