威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站www.rutronik24.com.cn上供應這款MOSFET器件。
SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優化柵極電荷(Qg)，減少了與開關相關的功率損耗。
與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。
這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務器和醫療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關；用于服務器和電信設備中電壓調節的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電信和服務器電源中的OR-ing功能；用于開關電容器或開關柜轉換器的功率級；電動工具和工業設備中的電動機驅動控制；以及電池管理模塊中的電池保護和充電。
如要了解有關威世的N-Channel MOSFET的更多信息和直接訂購選項，請訪問儒卓力電子商務平臺www.rutronik24.com.cn。
https://www.rutronik24.com.cn/search-result/qs:siss12dn/reset:0#
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。