2019年Intel超越三星，奪回了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的一哥地位，過(guò)去27年以來(lái)Intel在這個(gè)榜單上把持了25年之久。再下一步，Intel還要在半導(dǎo)體技術(shù)上追上來(lái)，其7nm工藝晶體管密度就接近臺(tái)積電3nm工藝了，5nm節(jié)點(diǎn)反超幾乎是板上釘釘了。

    在半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的命名上，臺(tái)積電、三星兩家從16／14nm節(jié)點(diǎn)就有點(diǎn)跑偏了，沒(méi)有嚴(yán)格按照ITRS協(xié)會(huì)的定義來(lái)走了，將節(jié)點(diǎn)命名變成了兒戲，Intel在這點(diǎn)上倒是很老實(shí)，所以吃虧不少，實(shí)際上他們的10nm節(jié)點(diǎn)晶體管密度就有1億／mm2，比三星、臺(tái)積電的7nm還要高一點(diǎn)。

    在10nm走上正軌之后，Intel宣布他們的半導(dǎo)體工藝發(fā)展將回到2年一個(gè)周期的路線(xiàn)上來(lái)，2021年就會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，首發(fā)高性能的Xe架構(gòu)GPU，2022年會(huì)擴(kuò)展到更多的CPU等產(chǎn)品中。

    臺(tái)積電上周正式公布了3nm工藝的細(xì)節(jié)，該工藝晶體管密度達(dá)到了2．5億／mm2，預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。

    那Intel 7nm及以下工藝的水平如何呢？現(xiàn)在還沒(méi)公布官方細(xì)節(jié)，不過(guò)Intel從22nm工藝到14nm是2．4x縮放，14nm到10nm是2．7x縮放，都超過(guò)了摩爾定律的2x工藝縮放水平。

    Intel CEO司睿博之前提到過(guò)7nm工藝會(huì)會(huì)到正常縮放，那至少是2x到2．4x縮放，意味著7nm工藝的晶體管密度將達(dá)到2億／mm2到2．4億／mm2之間。

    這樣看來(lái)，如果是2．4億／mm2的水平，那Intel的7nm工藝就能達(dá)到臺(tái)積電3nm工藝的水平，保守一點(diǎn)2億／mm2的話(huà)，那也非常接近了。

    別忘了，7nm之后Intel還會(huì)進(jìn)入5nm節(jié)點(diǎn)，時(shí)間點(diǎn)會(huì)在2023年，按照Intel的水平，至少也是2x縮放，那晶體管密度至少會(huì)達(dá)到4億／mm2，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電的3nm工藝水平，臺(tái)積電的2nm工藝在2023年之前應(yīng)該沒(méi)戲的。

    目前的計(jì)算還是理論性的，但是只要Intel的工藝路線(xiàn)重回正軌，先進(jìn)工藝上追回來(lái)并不讓人意外，臺(tái)積電、三星并不能小覷半導(dǎo)體一哥的技術(shù)實(shí)力。