據(jù)重慶日?qǐng)?bào)報(bào)道，目前，重慶郵電大學(xué)實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片。
重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義透露，“目前，實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，這也是重慶市功率半導(dǎo)體、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向。”據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面，具備體積小、效率高、用電量少等特點(diǎn)。
“這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10％以上，面積是硅芯片的1／5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。”黃義透露，目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段，未來(lái)有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
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