龐大資本支出是半導(dǎo)體制造業(yè)維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的必要投資，晶圓代工龍頭臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)展版圖、沖刺先進(jìn)制程，業(yè)界傳出，臺(tái)積電今年資本支出規(guī)模將達(dá)220億美元，超乎預(yù)期，創(chuàng)歷史新高，年增幅度近三成。

在全球晶圓代工先進(jìn)制程之爭(zhēng)上，緊跟在臺(tái)積電之后的三星電子，2020年資本支出約達(dá)3572萬(wàn)億韓元，其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占二十八點(diǎn)九兆韓元。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星2021年的半導(dǎo)體資本支出將不低于2020年。處理器巨人英特爾2020年的資本支出金額，則在142至145億美元之間。

與上述兩家業(yè)界大廠相比，臺(tái)積電的資本支出雖然低于三星，但是高出英特爾不少。三星在晶圓代工部分積極投資以追趕臺(tái)積電的心思眾人皆知；英特爾先進(jìn)制程訂單是否會(huì)于近期決定釋出代工訂單給臺(tái)積電，受到外界矚目。

對(duì)于今年的資本支出金額，臺(tái)積電表示，該公司2021年資本支出將于一月十四日的法說(shuō)會(huì)上公布。

臺(tái)積電因應(yīng)先進(jìn)制程投資龐大，近年資本支出維持高檔，2016年首度沖破100億美元、達(dá)102億美元。去年初宣布2020年資本支出為150億至160億美元，即便新冠肺炎疫情肆虐，臺(tái)積電去年7月還上修年度資本支出到160億至170億美元，并于去年10月的法說(shuō)會(huì)中，定調(diào)全年資本支出為170億美元。

臺(tái)積電持續(xù)發(fā)展3納米及以下先進(jìn)制程，相關(guān)制程仰賴要價(jià)不斐的極紫外光（EUV）機(jī)臺(tái)支援。由于一臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)售價(jià)逾1億歐元，市場(chǎng)先前盛傳，臺(tái)積電今年資本支出將首度站上200億美元大關(guān)，等于六年內(nèi)從100億美元翻倍，巨額投資顯示臺(tái)積電維持技術(shù)領(lǐng)先的企圖心。

業(yè)界人士估計(jì)，臺(tái)積電今年資本設(shè)備的投資重點(diǎn)，應(yīng)是5納米、3納米制程相關(guān)廠務(wù)與設(shè)備投資，還有一部分投入先進(jìn)封裝及2納米制程研發(fā)。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者表示，臺(tái)積電5納米制程已量產(chǎn)，目前月產(chǎn)能約六萬(wàn)片，正持續(xù)擴(kuò)充，預(yù)計(jì)到今年下半年時(shí)，可達(dá)到約每月十萬(wàn)片規(guī)模。業(yè)者透露，臺(tái)積電對(duì)3納米制程布局相當(dāng)積極，初期月產(chǎn)能約一萬(wàn)到三萬(wàn)片，后續(xù)規(guī)劃的總產(chǎn)能規(guī)模將比5納米制程還要多。