今年2021年最大的技術(shù)看點(diǎn)，就是現(xiàn)代起亞要推的兩款800V的車(chē)型能否在歐洲和韓國(guó)立住，這里面有兩個(gè)看點(diǎn)，電池方面快充能否經(jīng)受挑戰(zhàn)，還有就是驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的800V SiC逆變器能否順利起量。昨天從大陸集團(tuán)分拆出來(lái)的動(dòng)力系統(tǒng)公司Vitesco，宣布為現(xiàn)代新型E-GMP模塊化電動(dòng)平臺(tái)提供800伏逆變器（價(jià)值“triple-digit million Euro amount”，算下就有幾億歐元的樣子，按照單臺(tái)600歐估算，5億歐元推算有80萬(wàn)+左右的規(guī)模）。
備注：預(yù)估后續(xù)現(xiàn)代起亞會(huì)在車(chē)型開(kāi)二供，就像之前電池第一批、第二批和第三批分別發(fā)包
圖1 現(xiàn)代起亞的前后SiC模塊
01、Vitesco 和Rohm
現(xiàn)代的E-GMP系統(tǒng)中，前驅(qū)還是采用傳統(tǒng)的模塊，在后輪電機(jī)系統(tǒng)的逆變器電源模塊中，采用了800V碳化硅（SiC）模塊，通過(guò)新興模塊的導(dǎo)入系統(tǒng)效率可提升2~3%，續(xù)航里程可延長(zhǎng)5%左右。這個(gè)供應(yīng)商一直不知道是誰(shuí)，最主要是不清楚現(xiàn)代是否有能力把這個(gè)平臺(tái)快速推起來(lái)的。 從它的供應(yīng)商角度來(lái)看，Vitesco 是大陸Continental AG分拆出來(lái)的動(dòng)力總成部門(mén)，在整個(gè)業(yè)務(wù)版圖里面，電動(dòng)汽車(chē)業(yè)務(wù)是一筆小生意。
之前主要給PSA的e-CMP供應(yīng)集成式電軸，給現(xiàn)代供應(yīng)Encino和Lafesta。這次在800V系統(tǒng)的高壓平臺(tái)上，根據(jù)現(xiàn)代起亞的現(xiàn)代Ioniq 5和起亞EV6量產(chǎn)時(shí)間，實(shí)質(zhì)上要比后續(xù)博格華納（Delphi）量產(chǎn)時(shí)間還要早一些。
圖2 隨著量產(chǎn)時(shí)間，800V的方案逐步都走上前臺(tái)
2020年年中Vitesco Technologies與羅姆簽訂了開(kāi)發(fā)碳化硅電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器的協(xié)議。羅姆在碳化硅方面的投入時(shí)間也比較長(zhǎng)，在2009年收購(gòu)德國(guó)晶圓廠(chǎng)SiCrystal公司，主要做碳化硅柱、碳化硅襯底。2010年羅姆量產(chǎn)了碳化硅肖特基和碳化硅MOS，并在兩年之后量產(chǎn)了碳化硅的模塊。在碳化硅制作工藝上，羅姆從原材料開(kāi)始，一直到最后的封裝組裝，羅姆的特點(diǎn)是通過(guò)自己一家公司全部完成。
圖3 羅姆的碳化硅垂直整合
02、E-GMP能否順利起量的SiC資源
在電氣化的提升過(guò)程中，IGBT模塊占到了非常重要的作用。在IGBT模塊領(lǐng)域，之前都是英飛凌占據(jù)絕對(duì)的供應(yīng)中心，從車(chē)用400V IGBT切換到800V SiC需要解決供應(yīng)端的核心問(wèn)題。
圖4 英飛凌年報(bào)材料中的IGBT市場(chǎng)份額
根據(jù)Yole的評(píng)估，主要的SiC器件的提供商包括ST、Cree、羅姆、英飛凌和安森美。ST是基于特斯拉大量使用400V的分立器件，而這次現(xiàn)代起亞的上量，也會(huì)拉開(kāi)800V SiC器件的使用，
圖5 碳化硅市場(chǎng)的需求
之前我們看到碳化硅材料的市占率，Cree占了很大的一塊（供應(yīng)英飛凌、ST、ABB和ZF），整體的擴(kuò)張節(jié)奏其實(shí)主要跟著Cree的材料產(chǎn)能（投資7.2億美元將SiC材料及晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充30倍），預(yù)計(jì)2024年才能完全拉起來(lái)。
圖6 SiC Wafer的市場(chǎng)份額估計(jì)
隨著羅姆在SiC 晶圓投資，一方面羅姆在擴(kuò)展直接客戶(hù)，一方面旗下SiCrystal也在拓展用戶(hù)。2020年意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，提供總價(jià)超過(guò)1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅芯片。
圖7 原本800V的SiC取決于Cree的Wafer產(chǎn)能
所以隨著上游慢慢擴(kuò)展開(kāi)來(lái)，我們之前認(rèn)為的SiC的時(shí)間點(diǎn)，會(huì)稍微提早一些。大量上，確實(shí)要等到2024年Cree完全準(zhǔn)備好，但在這個(gè)之前，現(xiàn)代起亞的打法還是會(huì)掀起一陣差異化的。
小結(jié)：具體800V的市場(chǎng)節(jié)奏，還有消費(fèi)者對(duì)于這套系統(tǒng)的感受如何，目前還沒(méi)有大數(shù)據(jù)佐證，隨著半導(dǎo)體這段逐步加大投資，能降低一定的系統(tǒng)電耗加上快充速度快速提升，還是有戰(zhàn)略?xún)r(jià)值的。