從半導體的斷代法來看，硅（Si）、鍺（Ge）為第一代半導體，特別是 Si，構成了一切邏輯器件的基礎，我們的 CPU、GPU 的算力，都離不開 Si 的功勞；砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為第二代半導體的代表，其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中應用廣泛……
而到了半導體的第三代，就涌現出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。第三代半導體的產業化，也需要在各個方面尋找到平衡。
一代、二代、三代半導體之間，并非簡單的取代關系，行業足夠大、需求足夠多樣，每一種材料都會找到適合的需求空間。
對于第三代半導體材料而言，一般射頻器件主要采用 GaN，功率器件主要采用 SiC 和 GaN。
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
另外，制備技術的進步使得碳化硅和氮化鎵器件成本不斷下降，碳化硅和氮化鎵的性價比優勢將充分顯現。初步判斷，第三代半導體未來的核心增長點將集中在碳化硅和氮化鎵各自占優勢的領域。
27日，意法半導體（ST）宣布，其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圓片，將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。
該公司表示，SiC晶圓升級到200mm標志著意法半導體面向汽車和工業客戶的擴產計劃取得重要的階段性成功，與150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大一倍，合格芯片產量是150mm晶圓的1.8-1.9倍。
此外，意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發自己的制造設備和生產工藝。
意法半導體是國際功率半導體大廠，且專注于車規級功率半導體。據Strategy Analytics新發布的《2020年汽車半導體廠商市場份額報告》顯示，意法半導體與英飛凌、恩智浦、瑞薩、德州儀器為全球Top 5汽車半導體供應商，2020年這五家供應商共占據了全球汽車半導體市場近49%的份額。
