2021年11月5日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。

Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列二極管可用于表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。現(xiàn)已可提供工程樣品，并計(jì)劃于2022年第二季度發(fā)布完整產(chǎn)品。Nexperia計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充SiC二極管產(chǎn)品組合，預(yù)計(jì)推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產(chǎn)品。

隨著人們的能源意識(shí)日漸增強(qiáng)，對于具備出色效率和功率密度的高功率應(yīng)用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達(dá)到物理極限。Nexperia雙極性分立器件部門總經(jīng)理Mark Roeloffzen表示：“諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體現(xiàn)在能夠很好地滿足大批量應(yīng)用的嚴(yán)格要求，為原始設(shè)備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統(tǒng)成本和運(yùn)營成本。Nexperia廣泛的SiC二極管產(chǎn)品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。”

Nexperia的SiC肖特基二極管的初始目標(biāo)市場是工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用，包括：

·         開關(guān)模式電源(SMPS)

·         AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器

·         電池充電基礎(chǔ)設(shè)施

·         不間斷電源(UPS)

·         光伏逆變器

Nexperia還計(jì)劃發(fā)布車規(guī)級(jí)器件，用于車輛電氣化應(yīng)用，如：

·         車載充電器(OBC)

·         逆變器

·         高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

SiC肖特基二極管產(chǎn)品組合首推PSC1065H (-J/-K/-L)，該產(chǎn)品由Nexperia開發(fā)，旨在滿足汽車與工業(yè)市場的需求如需了解新型PSC1065x的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊），請?jiān)Lwww.nexperia.com/sic_diodes

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001 認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。