2022 年 9 月 13日,中國—— 意法半導體發布了兩款采用主流配置的內置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導體的ACEPACK 2 封裝技術,功率密度高,安裝簡便。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓撲,導通能效和開關能效均很出色,輸出電壓質量穩定。
這兩款模塊中的 MOSFET采用意法半導體的第二代 SiC 技術,RDS(on) x 芯片面積品質因數非常出色,確保開關可以處理高電流,把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導通電阻RDS(on)都是13mΩ,全橋拓撲和T型拓撲兩款模塊均可用于設計高功率應用,而低熱耗散確保應用能效出色,熱管理設計簡單。
ACEPACK 2封裝尺寸緊湊,功率密度高,采用高效氧化鋁基板和直接覆銅 (DBC)芯片貼裝技術。外部連接是壓接引腳,方便在潛在的惡劣環境中安裝,例如,電動汽車(EV)及充電樁、儲能和太陽能的功率轉換等場景。該封裝的絕緣耐壓是2.5kVrms,內置一個NTC溫度傳感器,可用于系統保護診斷功能。
兩款模塊現已投產。
本站內容除特別聲明的原創文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。