美國眼見著中國已量產(chǎn)14納米，開始不斷收緊限制，最近更是拉攏了ASML、尼康等光刻機(jī)企業(yè)，試圖從先進(jìn)光刻機(jī)上著手，阻止中國研發(fā)更先進(jìn)的10納米、7納米技術(shù)，然而近期中國有芯片企業(yè)卻公布了一項新技術(shù)，可以用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)就能量產(chǎn)10納米乃至7納米工藝。

據(jù)悉中國一家芯片企業(yè)已研發(fā)了一項SAQP技術(shù)，這項技術(shù)可以利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)出10納米工藝，證明中國基于現(xiàn)有的芯片設(shè)備在芯片制造工藝方面又邁出了重要一步。

業(yè)界人士指出SAQP技術(shù)不僅可以利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)10納米工藝，還能進(jìn)一步開發(fā)出7納米工藝。這是完全有可行性的，日本的NIL工藝就無需EUV光刻機(jī)可以開發(fā)出5納米工藝，美光開發(fā)的1－beta工藝也無需EUV光刻機(jī)，臺積電第一代7納米工藝同樣是以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)。

SAQP全稱是四重曝光技術(shù)，即使以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)經(jīng)過多重曝光，最終實現(xiàn)10納米乃至7納米的量產(chǎn)，這樣的方式可以有效降低成本，畢竟EUV光刻機(jī)的價格可是DUV光刻機(jī)的數(shù)倍，美光選擇繞開EUV光刻機(jī)就是為了節(jié)省成本，而性能方面卻能接近EUV光刻機(jī)的工藝。

如今中國也成功研發(fā)出無需EUV光刻機(jī)的先進(jìn)工藝，對于中國芯片來說無疑是巨大的進(jìn)步，尤其是這種方式還能大幅降低先進(jìn)工藝的成本，有助于增強(qiáng)中國芯片的競爭力，此前美國家電制造商就認(rèn)可了中國芯片的超低成本優(yōu)勢，這是中國芯片所特有的競爭優(yōu)勢。

中國開發(fā)的SAQP技術(shù)，說到底還是基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，而硅基芯片以美國為首的西方經(jīng)濟(jì)體近百年的積累，讓他們擁有了足夠的領(lǐng)先優(yōu)勢，中國在硅基芯片技術(shù)上終究只能成為跟隨者，為了真正實現(xiàn)趕超，中國已開始研發(fā)更先進(jìn)的芯片技術(shù)。

中國已分別籌建了全球第一條光子芯片生產(chǎn)線、量子芯片生產(chǎn)線，這將推動這兩項先進(jìn)芯片技術(shù)早日實現(xiàn)商用，這些芯片技術(shù)可以將芯片性能提升千倍，而功耗大幅下降，這才是未來的先進(jìn)芯片技術(shù)。

另一項先進(jìn)芯片技術(shù)被稱為石墨烯技術(shù)，中國同樣也在推進(jìn)，并已有多家中國企業(yè)取得石墨烯技術(shù)專利；美國也在力推石墨烯芯片技術(shù)，美國一家初創(chuàng)芯片企業(yè)表示在現(xiàn)有硅基芯片注入碳納米管，以90納米生產(chǎn)的芯片性能卻比7納米芯片提升50倍性能。

這些先進(jìn)芯片的技術(shù)商用，將徹底變革當(dāng)下的硅基芯片技術(shù)，將再也無需EUV光刻機(jī)等先進(jìn)光刻機(jī)，這對于ASML無疑將是巨大的打擊。事實上ASML也已認(rèn)識到它的第二代EUV光刻機(jī)量產(chǎn)，基本就已經(jīng)到了硅基芯片的極限，全球芯片行業(yè)需要引入更先進(jìn)的芯片技術(shù)，而中國加速了這些先進(jìn)芯片技術(shù)的推進(jìn)，將讓ASML的輝煌提前結(jié)束。

中國芯片這幾年的表現(xiàn)顯示出中國芯片所具有的強(qiáng)大技術(shù)實力，如今在美國的壓迫下，中國芯片行業(yè)已被激發(fā)了巨大的潛力，不斷加速各種先進(jìn)芯片技術(shù)的發(fā)展，一旦這些先進(jìn)芯片技術(shù)實現(xiàn)商用，那么中國將取得領(lǐng)先優(yōu)勢，將再也不會受制于美國。

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