據媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產下一代HBM4。

據了解，HBM類產品前后經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。

HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計，采用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出后最大的變化。

目前單個HBM3E堆棧的數據傳輸速率為9.6GT/s，理論峰值帶寬為1.2TB/s，而由六個堆棧組成的內存子系統的帶寬則高達7.2TB/s。

出于可靠性和功耗方面的考慮，一般速度不會達到最高的理論帶寬，像H200的峰值帶寬為4.8TB/s。

此外，HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預計2027年存儲器廠商還會帶來16層垂直堆疊。