2 月 19 日消息，中國科學院今日宣布，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所在集成光量子芯片領(lǐng)域取得重要進展。
該研究團隊采用“搭積木”式的混合集成策略，將 III-V 族半導體量子點光源與 CMOS 工藝兼容的碳化硅（4H-SiC）光子芯片異質(zhì)集成，構(gòu)建出新型混合微環(huán)諧振腔。
這一結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了單光子源的片上局域能量動態(tài)調(diào)諧，并通過微腔的 Purcell 效應提升了光子發(fā)射效率，為光量子芯片的大規(guī)模集成提供了全新解決方案。相關(guān)研究成果已于 2 月 14 日發(fā)表在《光：科學與應用》上（附 DOI:10.1038 / s41377-024-01676-y）。
針對量子點光源與微腔片上集成的技術(shù)瓶頸，該團隊創(chuàng)新性地提出了“搭積木”式的混合集成方案。這一方案采用微轉(zhuǎn)印技術(shù)，將含 InAs 量子點的 GaAs 波導精準堆疊至 4H-SiC 電光材料制備的微環(huán)諧振腔上。
低溫共聚焦熒光光譜測試發(fā)現(xiàn)，得益于 GaAs 與 4H-SiC 異質(zhì)波導的高精度對準集成，光場通過倏逝波耦合在上下波導間高效傳輸，形成“回音壁”模式的平面局域光場。該結(jié)構(gòu)的腔模品質(zhì)因子達到 7.8×103，僅比原始微環(huán)下降約 50%，展現(xiàn)了優(yōu)異的光場局域能力。
進一步，該研究在芯片上集成微型加熱器，實現(xiàn)了量子點激子態(tài)光譜的 4nm 寬范圍調(diào)諧。這一片上熱光調(diào)諧能力使腔模與量子點光信號達到精準匹配，實現(xiàn)了微腔增強的確定性單光子發(fā)射。實驗測得 Purcell 增強因子為 4.9，單光子純度高達 99.2%。
▲ 基于 III-V 量子點和電光 4H-SiC 材料的混合集成量子點微腔
為驗證這一技術(shù)的擴展?jié)摿Γ撗芯吭?4H-SiC 光子芯片上制備出兩個間距 250μm 的量子點混合微腔。研究通過獨立局域調(diào)諧，克服了量子點生長導致的固有頻率差異，實現(xiàn)了不同微腔間量子點單光子信號的頻率匹配。
該工作在 4H-SiC 芯片上同步實現(xiàn)了光源調(diào)諧、Purcell 增強與多節(jié)點擴展，兼具高純度與 CMOS 工藝兼容性。結(jié)合 4H-SiC 優(yōu)異的電光調(diào)制特性，該技術(shù)有望推動光量子網(wǎng)絡向?qū)嵱没~進。
