1.DRAM市場走下坡

    Muse表示，2011年NAND市場前景不錯(cuò)，但DRAM市場可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺約2GB，卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過剩。

    2.轉(zhuǎn)向3x納米制程

    整體看來，所有的DRAM供貨商都開始轉(zhuǎn)向3x納米制程，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(dá)(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米，期望能因此大幅縮減成本。

    3.韓廠雙強(qiáng)獨(dú)大

    DRAM市場不同于NAND市場仍存在眾多一線廠商，已開始呈現(xiàn)韓國兩大廠商獨(dú)霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場的一線供貨商(以技術(shù)水準(zhǔn)與獲利表現(xiàn)來看)，美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財(cái)務(wù)狀況與技術(shù)水準(zhǔn)稍遜)，至于爾必達(dá)、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術(shù)水準(zhǔn)與財(cái)務(wù)狀況都有很大的進(jìn)步空間)。

    三星是DRAM市場最受關(guān)注的焦點(diǎn)，目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單；今年度，三星最成功之處在于提高了DRAM市場占有率，估計(jì)2010年全球DRAM市場成長率在45~50%之間，該公司的DRAM業(yè)務(wù)成長率可高達(dá)70%。

    緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士，目前唯一的問題是負(fù)債與管理階層，而這些狀況可望在2011年獲得解決；海力士在中國無錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM，在其產(chǎn)品架構(gòu)于明年由8F2轉(zhuǎn)進(jìn)6F2之后，可望取得更進(jìn)一步成長動力。

    4.美光陣營面臨艱困時(shí)刻

    美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商，但其前景取決于溝槽式制程轉(zhuǎn)換至堆棧式制程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增，但良率表現(xiàn)不太令人滿意，整年度的位成長率表現(xiàn)也不佳。

    由于制程轉(zhuǎn)換不順，美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問題也未解決，因此美光要轉(zhuǎn)進(jìn)40納米與30納米，恐怕會很艱難；但Muse預(yù)期，明年也許會有一些轉(zhuǎn)機(jī)。

    5.爾必達(dá)的豪賭

    爾必達(dá)目前正盡全力想成為領(lǐng)導(dǎo)級廠商，在日本與臺灣兩地積極募資；此外在技術(shù)部分，該公司開發(fā)出65納米微縮制程65納米XS，搶在DRAM價(jià)格仍不錯(cuò)的時(shí)候多賺一些利潤；同時(shí)也試圖躍進(jìn)40納米與30納米制程。