| 實際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究 | |
| 所屬分類：調(diào)研報告 | |
| 上傳者：serena | |
| 標簽： MOSFET 驅(qū)動電路 | |
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| 文檔介紹： 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進行了實驗研究，所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運用和設(shè)計合理的MoSFET驅(qū)動電路具有指導(dǎo)意義． | |
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