高階∑△ADC中積分器的設計 | |
所屬分類:技術論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大小:224 K | |
所需積分:0分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹:基于N阱 0.6μm DPDM CMOS工藝,完成了高階∑△ADC中第一級積分器的設計。分析了開關電容積分器的非理想特性,同時設計了一個對寄生電容不敏感的同相開關電容(SC)積分器,并特別采用旁路電容減小溝道電荷注入引起的諧波失真和噪聲。在cadence下的電路仿真表明,積分器具有-104.9dB等效輸入噪聲;利用MATLAB進行系統仿真,∑△ADC的信號噪聲畸變比(SNDR)達到100.5dB,滿足系統16bit的要求。 | |
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