| 飛思卡爾擴展MRAM產(chǎn)品系列引領(lǐng)非易失性存儲器的未來 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：141 K | |
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| 文檔介紹：經(jīng)常有人將磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）稱作是非易失性存儲器的關(guān)鍵技術(shù)。作為一項非易失性存儲器技術(shù)，MRAM可以在掉電時保留數(shù)據(jù)，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其它要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。 | |
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