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??? 美國明尼阿波利斯（2008年12月10日）——全球領(lǐng)先的微電子制造表面處理設(shè)備供應商FSI國際有限公司（納斯達克：FSII）今日宣布其帶有ViPR技術(shù)的ZETA噴霧式清洗系統(tǒng)現(xiàn)已提供200mm晶圓" title="晶圓">晶圓工藝，并且已有一家亞洲客戶將該項" title="該項">該項技術(shù)成功應用于200mm制造之中。FSI的ViPR技術(shù)起初為300mm" title="300mm">300mm高級技術(shù)推出，該項技術(shù)憑借一步濕法工藝成功剝離高注入光刻膠的能力，被許多300mm晶圓廠" title="晶圓廠">晶圓廠采用。針對200mm晶圓廠相同的需求，F(xiàn)SI在其200mmZETA系統(tǒng)上開發(fā)出ViPR性能。ViPR技術(shù)通過省去灰化和多步驟灰化-濕法的方法，實現(xiàn)了IC制造商大幅度降低成本和縮短周期的可能，從而為其它支撐技術(shù)釋放空間。

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??? “我們看到ViPR技術(shù)在先進的300mm晶圓廠中認可度的不斷提升，是源自該項技術(shù)的獨有的性能和優(yōu)點，”FSI董事長兼首席執(zhí)行官說道。“隨著200mmViPR技術(shù)被一家重要亞洲客戶的成功應用， ViPR工藝為客戶提供了升級技術(shù)的能力以及進一步大幅提高200mm投資收益，我們?yōu)榇烁械礁吲d。”

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??? 2008年11月，該客戶在FSI國際知識服務系列研討會（KSS）亞洲站上，展示了一項引人注目的200mm ViPR性能測試結(jié)果——先進邏輯器件的無灰化全濕法光刻膠。他們應用ViPR技術(shù)的策略旨在避免灰化過程中的等離子損害，并增加工廠的產(chǎn)能。該客戶表示，ZETA系統(tǒng)ViPR的去除工藝滿足了其對剝離工藝和器件電氣性能的要求，同時對不同類型的器件可縮短生產(chǎn)周期最高達10%，可極大地節(jié)約成本。

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??? 此外，該客戶目前憑借200mm ViPR技術(shù)去除在金屬硅化物" title="硅化物">硅化物形成過程中產(chǎn)生的金屬薄膜。ZETA ViPR 300mm工藝已證明可有效去除未反應的金屬，同時不損壞硅化物。在硅化鈷工藝中的殘留金屬薄膜去除方面驗證成功，在最先進的NiPt自對準金屬硅化物工藝方面，成功地整合低退火溫度來減少結(jié)點漏電，從而提高了工藝的良品率。

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關(guān)于FSI：

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??? FSI國際有限公司是一家為微電子制造提供表面處理設(shè)備技術(shù)及支持服務的全球性的供應商。通過使用公司產(chǎn)品組合中的多晶圓批量和單晶圓的浸泡式、旋轉(zhuǎn)噴霧式、汽相和超凝態(tài)過冷動力學等一整套清洗技術(shù)產(chǎn)品，客戶能夠?qū)崿F(xiàn)他們的工藝性能、靈活性和生產(chǎn)能力目標。公司推出的支持服務項目包括了產(chǎn)品及工藝的提升，從而延長已安裝的FSI設(shè)備的使用壽命，使世界范圍內(nèi)的客戶的資本投資獲得更高的回報。

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??? FSI國際有限公司全球網(wǎng)站：http://www.fsi-intl.com.